失调与CMRR的Offset voltage的理解

根本原因

在第6章和第7章,我们讨论了两种非理想情况,即,频响和噪声,这两者限制了模拟电路的性能。这一章我们研究另外两种非理想情况,在高精度模拟电路设计中它们被证明是非常关键的,而且和许多其它性能参数互相制约。它们就是非线性与不匹配。首先,我们为量化非线性的影响定义一个度量标准。然后,我们研究差动电路与反馈系统中的非线性,并探讨一些线性化的技术。接着,讨论差动电路中的不匹配与直流失调问题。最后,我们考虑一些消除失调的方法并描述失调消除对随机噪声的影响。

器件失配

识别器件失配的机理用公式表示，但是实际上器件的失配研究起来非常复杂，对制造工艺和版图的依赖性很大
依靠最小失配版图技术，见十八章。

一个更重要的观察结果是,随着晶体管面积(WL)的增加,所有的失配都减小。相对△变小。

失配导致的失调

现在,我们研究器件的失配对电路性能的影响。失配引起三个重要现象:直流失调、有限偶次失真和更低的共模抑制。最后一个现象已在第4章研究过了。

直流失调

CMRR 共模抑制比

产生的失调，相对于Av的比值。用此电路可测的Vcm在各个频域段内的交流小信号模型。
vdc确定了，Vac的摆动幅度由最小的驱动电压决定。

CMFB共模反馈

在高增益放大器中,输出共模电平对器件的特性和失配相当敏感,而且,不能通过差动反馈来达到稳定。因此,必须增加共模反馈网络来检测二个输出端的共模电平,并有根据地调节放大器的一个偏差电流。根据第8章反馈系统的观点,我们把CMFB的任务分为三个步骤:检测输出共模电平;同一个参考电压比较;将误差送回放大器偏置网络。图9.34概念性地表示了这个思想。