NXP,PESD1IVN27-A,SOD323
VRWM:反向关断电压,Max:27V
IPPM:额定峰值脉冲电流,Max:3A
VCL:钳位电压,Max:45A
VBR:击穿电压,Max:38V
IRM:反向漏电流,Max:50nA
Cd:二极管电容,Max:17pF
Rdyn:动态电阻,Tye:0.2Ω
ISO 7637-3:脉冲a:-150 V,脉冲b:+100 V
V-I特性:
1.选型
最高工作电压Vrwm:Vrwm≥ 工作电压,电路正常工作TVS不触发
漏电流Ir:越小越好,最大反向漏电流
击穿电压Vbr:击穿电压> 正常工作电压
钳位电压Vc:钳位电压< 最大瞬态电压
峰值脉冲电流Ipp:超过此值,可能损坏
封装:体积越小,功率也越小(TVS管芯片面积决定功率等级),SOD-123,SMA/DO-214AC
最大峰值脉冲功耗PM:最大峰值脉冲电流Ipp与Vc乘积,反映浪涌抑制能力,额定最大脉冲功率>最大瞬态浪涌功率
结电容:信号波形畸变或引入干扰,信号完整性问题
步骤:
是否存在两个方向电压尖峰
正常工作电压,最大耐压值以此确定关断电压,钳位电压
评估电压尖峰频率,幅值,确定功率,从而确定封装
2.浪涌波形
10/1000us:上升沿时间10us,持续时间1000us
3.用途
瞬态电压(静电,浪涌,电压尖峰)
过7637
模式3:测试Vmax=16V,所以Vr>16V
脉冲5a:Us=101V,R1=1Ω,td=400ms
例:Little SLD8S24A,Vc=38.9V,Vbr=26.7V,Ipp=180A 能否满足5a测试
导通时阻抗Rd=(Vc-Vbr)/Ipp=0.07Ω,导通后流过的电流Ipp=[(Us+12V)-Vbr]/(R1+Rd)=79.7A 400ms
通过的能量:1/2 * I²t * Rd W=88.9J(实际导通时间低于td 400ms) 1W=1焦耳/秒
承受的最大能量:W=(Ifsm)² * t * Rf=149.4J,查规格书8.3ms对应Ifsm是1000A
正向导通阻抗=Vf/100A=1.8V/100A=0.018Ω,100A是规格书定义测试Vf时的电流
SLD8S24A能满足pulse 5a测试
12V电源系统中,load dump一般被钳位在35V
原理:
当电路工作在正常工作电压下时,TVS处于反向截止状态(反向截止电压VRWM),对电路工作不构成影响
当电路出现电压过高的情况且达到TVS击穿电压时(击穿电压VBR),TVS进入导通状态,将由过电压导致的过电流泄放到地,并将电路的电压钳位在安全范围,以达到保护后级电路的目的,当异常电压消失,TVS重新恢复到反向截止状态
更适用于短时间高能量冲击,当出现长时间工作电压高于正常工作电压时,采用单独的TVS是不够可靠的
正常工作情况下:S=VCC、G=R10 /(R10+R8)<S、PMOS导通
过电压状态时:稳压管正极会有电压,此时NPN三极管Q9导通,Q9导通之后Q2也会导通,S电压=G电压,PMOS关断,整个系统下电
稳压管将供电电压最大值设定在16~18V左右,电压超过这个范围,系统就会下电