★TVS相关

NXP，PESD1IVN27-A，SOD323

VRWM：反向关断电压，Max：27V

IPPM：额定峰值脉冲电流，Max：3A

VCL：钳位电压，Max：45A

VBR：击穿电压，Max：38V

IRM：反向漏电流，Max：50nA

Cd：二极管电容，Max：17pF

Rdyn：动态电阻，Tye：0.2Ω

ISO 7637-3：脉冲a：-150 V，脉冲b：+100 V

V-I特性：

1.选型

最高工作电压Vrwm：Vrwm≥ 工作电压，电路正常工作TVS不触发

漏电流Ir：越小越好，最大反向漏电流

击穿电压Vbr：击穿电压> 正常工作电压

钳位电压Vc：钳位电压< 最大瞬态电压

峰值脉冲电流Ipp：超过此值，可能损坏

封装：体积越小，功率也越小（TVS管芯片面积决定功率等级），SOD-123，SMA/DO-214AC

最大峰值脉冲功耗PM：最大峰值脉冲电流Ipp与Vc乘积，反映浪涌抑制能力，额定最大脉冲功率>最大瞬态浪涌功率

结电容：信号波形畸变或引入干扰，信号完整性问题

步骤：

是否存在两个方向电压尖峰

正常工作电压，最大耐压值以此确定关断电压，钳位电压

评估电压尖峰频率，幅值，确定功率，从而确定封装

2.浪涌波形

10/1000us：上升沿时间10us，持续时间1000us

3.用途

瞬态电压（静电，浪涌，电压尖峰）

过7637

模式3：测试Vmax=16V，所以Vr>16V

脉冲5a：Us=101V，R1=1Ω，td=400ms

例：Little SLD8S24A，Vc=38.9V，Vbr=26.7V，Ipp=180A 能否满足5a测试

导通时阻抗Rd=（Vc-Vbr）/Ipp=0.07Ω，导通后流过的电流Ipp=[（Us+12V）-Vbr]/（R1+Rd）=79.7A  400ms  

通过的能量：1/2 * I²t * Rd   W=88.9J（实际导通时间低于td 400ms）          1W=1焦耳/秒

承受的最大能量：W=（Ifsm）² * t * Rf=149.4J，查规格书8.3ms对应Ifsm是1000A

正向导通阻抗=Vf/100A=1.8V/100A=0.018Ω，100A是规格书定义测试Vf时的电流

SLD8S24A能满足pulse 5a测试

12V电源系统中，load dump一般被钳位在35V

原理：

当电路工作在正常工作电压下时，TVS处于反向截止状态（反向截止电压VRWM），对电路工作不构成影响

当电路出现电压过高的情况且达到TVS击穿电压时（击穿电压VBR），TVS进入导通状态，将由过电压导致的过电流泄放到地，并将电路的电压钳位在安全范围，以达到保护后级电路的目的，当异常电压消失，TVS重新恢复到反向截止状态

更适用于短时间高能量冲击，当出现长时间工作电压高于正常工作电压时，采用单独的TVS是不够可靠的

正常工作情况下：S=VCC、G=R10 /（R10+R8）<S、PMOS导通

过电压状态时：稳压管正极会有电压，此时NPN三极管Q9导通，Q9导通之后Q2也会导通，S电压=G电压，PMOS关断，整个系统下电

稳压管将供电电压最大值设定在16～18V左右，电压超过这个范围，系统就会下电