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RSS订阅原创 TVS相关
电容量由TVS雪崩结截面决定，特定1MH频率下测得，容值大小与TVS电流承受能力成正比，容值太大影响信号衰减，容值是数据接口电路选用重要参数，频率越高回路，干扰越大，形成噪声或衰减信号强度也大，高频回路选择电容尽量小（LCTVS，低电容TVS，电容不大于3pF）,对电容要求不高的回路，可高于40pF。IPP和VC衡量抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数，相互联系，防雷钳位特性参考VC，相同型号，相同IPP下VC越小，钳位特性越好，耐脉冲电流冲击能力参考IPP，同型号，IPP越大，耐脉冲电流冲击能力越强。
2023-01-13 16:12:57
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原创 Flash相关
Hi3516：SPI Nor Flash最大容量支持32MB；SPI Nand Flash最大支持4Gbit。1.NOR Flash和NAND Flash的区别。NAND Flash/eMMC：三星，美光，海力士。256MBIT（32M*8）NOR Flash：读取和SDRAM一样，4.哪家的，什么封装，容量多大，有哪些信号。NOR Flash：旺宏，美光，华邦。
2023-01-13 00:03:07
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原创 ADC/DAC常问问题
分辨率：最小刻度指标；8bit，16bit，24bit是分辨率，比如采集电压范围0-5V，8bit最小刻度是5/2^8=0.0195V，分辨率间接衡量采样准确的变量，精度直接衡量。采样率：每秒采集信号的个数；如1KHz/s，表示1s内采集1K个点。精度：最小刻度+各种误差参数。1.采样率和采样精度。
2023-01-12 23:22:09
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原创 晶振常问问题
2^15=32768=32.768K，把32.768K经过15次分频得到1Hz；提高时间精度，1Hz必须要准确。核心频率，温度频差（ppm），负载电容（pf），封装形式，工作温度。2.RTC为什么是32.768K。
2023-01-11 00:19:04
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原创 电感常问问题
频率特性不同：电感多用于低频段（50Mhz），磁珠多用于高频滤波场景；磁珠等效于电阻和电感串联，更好的高频特喜，高频呈阻性，相当款的频率范围保持阻抗，提高滤波效果。SMD（表面贴装）：HA超薄贴片功率电感：封装：HA63(长宽高7*6.5*3)；寄生电容EPC，绕线电阻分量ESR（等效串联电阻），等效并联电阻EPR。抑制共模干扰的滤波电感叫共模电感，共模电感是双线双向，绕向相反的两组线圈。单位不同：电感是电感值（H），磁珠是阻抗（欧姆）差模电感：单组绕制，串联电源输入端，储能平波电感。
2023-01-11 00:01:33
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原创 电容常问问题
容值，类型，封装，精度，温度，额定电压，频率特性，等效串联电阻ESR，成本/供应商/供货周期。当瓷片电容在承受交变电压时，会产生机械振动，发出响声，也是逆压电效应。无极性：体积小，价格低，高频特性好，瓷片电容，独石电容，聚乙烯。有极性：特殊材质，容量大，如电解电容，钽电容。容量越大，成本越高，大到一定程度，好处会越少。容量，误差，额定电压，绝缘电阻，耗损，寿命。电阻：威世，京瓷，村田，松下，罗姆，TDK。按材料分类：瓷介，涤纶，电解，钽，聚丙烯。介质，性能，容量，结构；电容：黑金刚，蓝宝石，红宝石，松下。
2023-01-10 15:42:35
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原创 SI相关问题
解决：1.避免水平或垂直走线，采用Z字型或10度；2.选择选择玻纤窗口更小的PP/CORE；3.采用扁平E-玻纤布或更好NE-玻纤布，玻纤扁平化处理；4.旋转PCB板生产。玻纤效应：信号在玻璃纤维和树脂中的传播速度不同；3.蛇形走线时序延时，哪些情况下使用。5.阻抗不匹配影响，不等长等距影响。影响：传输线阻抗波动和差分歪曲；1.什么是玻纤效应，影响，解决。2.源端匹配和终端匹配优缺点。4.DDR过冲和下冲如何解决。
2023-01-10 00:55:08
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原创 以太网相关
2.MAC到PHY常用接口种类，有哪些信号，多少个信号，什么区别。信号传输，阻抗匹配，波形修复，信号杂波抑制和高电压隔离作用。信号线长度以时钟线为基准，长度偏差±200mil以内；避免走线穿越电源分割区，保持参考平面完整；3.LAYOUT规则。变压器正下方地挖空；
2023-01-09 23:36:55
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原创 LDO常问问题
2.PSRR多少，什么频率下（TPS795_50dB，10kHz；例：45dB相当于178的衰减系数_假设输入±50mV变成±281uV；45=20logx，2.25=logx，x=10^2.25=178，50000/281=178）3.PSRR是什么；(电源抑制比，某个频段的AC从输入到输出的衰减程度，衰减越高，每分贝的PSRR值越高，PSRR=20log（输入纹波/输出纹波）)1.哪个型号（TPS79501；
2023-01-06 20:16:32
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原创 MOS管相关
（1.最大VDS：漏极至源极最大电压；2.RDS：导通损耗IIoad2*RDS；3.热阻，结温：散热。4.栅极电荷（Qgd）：开关损耗，栅极/漏极，栅极/源极，漏极/源极电容。1.增强型和耗尽型区别；（1.耗尽型栅极不加电压有导电沟道存在，增强型只有开启才有；2.控制方式不同，耗尽型Vgs可以正，零，负控制导通，增强型N是栅极>源级）
2023-01-06 14:40:39
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原创 三极管相关
(1.ICM集电极最大允许电流：超标电流放大系数β下降。2.BVCEO基极开路，集电极-发射极反向击穿电压：超标产生很大集电极电流，击穿。3.PCM集电极最大允许耗散功率：超标烧坏。4.特征频率fT：超标，性能下降)3.状态与极性偏转；（截止：发射结反偏，集电结反偏；放大：发射结正偏，集电结反偏；饱和：发射结正偏，集电结正偏。放大器件_放大状态，开关_截止，饱和状态）（三极管中的双极型晶体管缩写是BJT）
2023-01-06 14:18:01
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原创 USB 2.0相关
（1.差分线尽可能短，直；对内等长，偏差±5mil以内。5.差分线少用过孔和拐角，拐角用圆弧或135度角，避免直角，减少反射和阻抗变化。6.避开高速周期信号和大电流信号，间距大于50mil，减少串扰，远离低速非周期信号，至少20mil）1.MCU与模块间差分对串联共模电感，防止信号产生EMI干扰，共模电感靠近模块放置。2.ESD器件寄生电容小于1pF，击穿8kV，小于1ns，器件靠近接口放置。4.不要在晶振，振荡器，磁性装置和RF信号下面走线。
2023-01-06 13:20:18
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空空如也
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