国产碳化硅模块（全SiC功率模组）SiC Module特性技术应用

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全碳化硅（SiC）功率模块系列可为逆变器设计人员带来新的机会,助力实现前所未有的效率和功率密度。碳化硅（SiC）半导体用作开关时，支持更高的工作温度和开关频率，从而提升整体系统效率。全SiC MOS功率模块系列拥有不同的配置，如三电平全桥、半桥,具有卓越的栅极氧化可靠性及一流的开关和导通损耗。 SiC模块换向电感降低可以实现SiC MOSFET的全速开关。更高的开关速度可以转换成更高的开关频率，从而得到更小的磁性过滤器 元件。同时可以降低开关损耗，提高系统效率。精密的材料和封装技术可以将芯片与散热片之间的热阻减至更小，从而实现更高的功率密度。

 SiC MOSFET 模块应用中出现的串扰问题，

3种有效应用对策： ①减小栅极引线阻抗，从而减小阻抗上的感应压降， 抑制栅源极过压；②采用有源米勒箝位技术，泄放位 移电流，有效保护 SiC MOSFET 模块；

③通过三级关 断串扰抑制技术改善栅极驱动波形，有效抑制过大的电压正向抬升和负向电压