开关电源技术应用&汽车电子&碳化硅SiC MOSFET与SiC模块

最新推荐文章于 2024-11-10 17:31:34 发布
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分类专栏： 碳化硅模块 碳化硅MOS 电力电子 文章标签： 嵌入式硬件 硬件工程 硬件架构 矩阵 车载系统 智能硬件 无人机
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开关电源技术应用&汽车电子：百度网盘 请输入提取码   提取码2a5f
SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、轨道交通领域，智能电网，3300V的牵引变频器等领域。

碳化硅MOS~MODULE
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碳化硅SiC MOSFET OBC应用技术
08-30
碳化硅SiC MOSFET OBC应用技术是指使用碳化硅SiC MOSFET在OBC应用中的技术，具有高效率、高可靠性和小型化的特点，广泛应用于电动汽车或混合动力汽车的充电系统中。 碳化硅SiC MOSFET OBC应用技术的优点： * 高...
碳化硅模块SiC MOSFET短路特性及保护方法
07-10
### 碳化硅模块SiC MOSFET短路特性及保护方法 #### 一、SiC MOSFET短路特性及失效机理 碳化硅（SiC）MOSFET作为新一代高性能功率半导体器件，凭借其独特的物理性质在众多领域展现出巨大的应用潜力。SiC MOSFET的...
CISSOID宣布推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块
01-13
各行业所需高温半导体解决方案的CISSOID今日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。这项新的智能功率模块技术提供了一种一体化解决...
电源技术中的开关电源转换器高性能碳化硅（SiC）功率半导体器件
11-16
DNI（Double-Negative-Index）结的耐压性能优异，使得基于SiC的半导体开关器件如SiC功率MOSFET和SiC IGBT能够在高压环境下工作，适用于高压大功率的应用场景，如电动汽车、风能和太阳能发电系统等。 为了适应未来...
SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估.pdf-综合文档
05-25
在电力电子领域，SiC MOSFET的应用包括高效率的电源转换、可再生能源系统、电动汽车的电力驱动和充电系统等。这些应用对器件的可靠性和稳定性提出了很高的要求，尤其是在恶劣的工作条件下。 3. 雪崩条件的定义： ...
嵌入式硬件电子电路设计（三）电源电路之负电源
weixin_64593595的博客
11-01 2667
在嵌入式硬件设计中，电源电路是系统稳定性和可靠性的关键组成部分。本章专注于负电源的设计与应用，深入探讨负电源的必要性、产生方法及其在不同应用场景中的作用。
硬件工程师必须掌握的MOS管详细知识
热门推荐
2401_86482345的博客
08-11 1万+
MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子工业中各种电路的开关、放大、调制、数字电路和模拟电路等领域。电压控制：MOS管是一种电压控制型器件，通过改变栅极与源极之间的电压（VGS）来控制漏极与源极之间的电流（ID）。主要参数：包括栅源极最大驱动电压（VGS）、漏源电压（VDS）、漏源导通电阻（RDS(on)）、栅极电荷（Qg）、漏极电流（Id）等。
【Hadoop实训】Hive 数据操作②
一只大数据专业的傻猪猪
11-10 412
大数据专业的Hadoop实训之Hive 数据操作查询②
SQL中的内连接（inner join）、外连接(left|right join、full join)以及on关键字中涉及分区筛选、null解释
me_to_007的博客
11-10 403
sql中的null，以及各种join机制介绍
旋转对称性，旋转矩阵的特征矢量也是T3矩阵的特征矢量
m0_53271604的博客
11-06 329
旋转对称性要求T3矩阵，在旋转后，特征矢量没发生改变，特征值大小也没变，即T3矩阵没有改变。
lvgl_按钮矩阵
最新发布
qq_59527512的博客
11-10 127
VGL（Light and Versatile Graphics Library）的按钮矩阵（lv_btnmatrix）是一个用于在行和列中显示多个按钮的轻量级控件。这个控件的特点是按钮不是实际创建的，而是实时绘制出来的，因此它非常节省内存。每个按钮仅使用大约8个字节的内存，相比之下，普通的按钮控件则需要大约100-150字节，再加上标签控件的内存占用1。
【线性代数\矩阵论】矩阵逆引理证明、应用
qq_39400324的博客
11-10 691
矩阵求逆引理要解决的问题是：减少矩阵求逆的计算量。已知一个矩阵A及其逆矩阵A−1，当矩阵产生了变化时，例如增加一个扰动P，能不能根据已知的逆矩阵A−1，求产生变化后的矩阵的逆A′−1AE−1。这里说的扰动P可以分解为PBD−1CAn×nBn×mCm×nDm×m。
Java | Leetcode Java题解之第542题01矩阵
m0_57195758的博客
11-07 368
Java | Leetcode Java题解之第542题01矩阵
Hermite矩阵与正定
一般路过底层打工人的博客
11-09 600
介绍了Hermite矩阵的性质和正定的性质
C++ | Leetcode C++题解之第542题01矩阵
Ddddddd_158的博客
11-07 335
C++ | Leetcode C++题解之第542题01矩阵
二维前缀和 子矩阵的和
bitkingtrue的博客
11-10 172
输入一个 n 行 m 列的整数矩阵，再输入 q 个询问，每个询问包含四个整数 x1,y1,x2,y2 ，表示一个子矩阵的左上角坐标和右下角坐标。对于每个询问输出子矩阵中所有数的和。输入格式 第一行包含三个整数 n，m，q 。接下来 n 行，每行包含 m 个整数，表示整数矩阵。接下来 q 行，每行包含四个整数 x1,y1,x2,y2 ，表示一组询问。输出格式 共 q 行，每行输出一个询问的结果。数据范围 1≤n,m≤1000 , 1≤q≤200000 , 1≤x1≤x2≤n , 1≤y1≤y2≤m , −10
【数学二】线性代数-向量-向量组的秩、矩阵得秩
WEL测试
11-07 110
【数学二】线性代数-向量-向量组的秩、矩阵得秩
LoRA：大型语言模型（LLMs）的低秩适应；低秩调整、矩阵的低秩与高秩
ZJQ的博客
11-06 165
目录LoRA：大型语言模型（LLMs）的低秩适应一、LoRA的基本原理二、LoRA的举例说明三、LoRA的优势低秩调整、矩阵的低秩与高秩一、低秩调整（LoRA）二、矩阵的低秩三、矩阵的高秩LoRA（Low-Rank Adaptation of LLMs），即大型语言模型（LLMs）的低秩适应，是一种高效的微调技术。它通过向模型中添加少量可训练参数（以低秩矩阵的形式），同时保持原始模型参数不变，实现了对LLM的快速定制化。以下是对LoRA的详细举例说明：发现更多精彩视频 - 抖音搜索假设我们有一个预训练的大型
【统计子矩阵——部分前缀和+双指针】
Kent的博客
11-10 129
【代码】统计子矩阵——部分前缀和+双指针。
碳化硅SiC MOSFET在汽车与电源应用中的革新优势
"本文介绍了SiC MOSFET在汽车和电源应用中的优势，强调了这种新型半导体器件相较于传统硅基MOSFET的优越性能。文章由意法半导体的Jeffrey Fedison撰写，讨论了宽禁带半导体技术的发展，尤其是SiC MOSFET如何打破硅基...
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