LPD碳化硅三相全桥模块2.5nH超低电感惊艳亮相

全新LPD碳化硅三相全桥模块2.5nH超低电感惊艳亮相
该模块采用创新封装和三相全桥设计，内置1200V碳化硅MOSFET和热敏电阻，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势，性价比超国外产品，适用于电动汽车、氢能源汽车、高速电机驱动、光伏风能发电等领域。

SiC MOSFET作为第三代功率半导体器件，以其阻断电压高、工作频率高，耐高温能力强、通态电阻低和开关损耗小等特点成为当前最具市场前景的半导体产品之一，正广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、无线电能传输等领域。