碳化硅模块 大电流下的驱动器研究

随着电力电子技术的发展，高耐压、高效率、高结温已成为电力电子器件技术的发展趋势。与传统的 IGBT 相比，第三代宽禁带半导体器件SiC MOSFET 在高开关速度、高耐压、低损耗等方面具有优势，已成为近年来新的研究热点。电动汽车要求电驱动系统具有高功率密度、高效率、高工作温度以及高可靠性，SiC MOSFET 在电驱动系统中的优势与潜力，为电动汽车小型化、轻量化的发展注入了新的动力。
然而，SiC MOSFET 的高频、高速开关速度特性，使其对驱动回路与功率回路的寄生参数敏感度增大，在开关过程中更易产生电压电流的过冲和振铃，引发电磁干扰问题，也会导致桥臂串扰和驱动振荡问题，严重威胁电驱动系统的安全。文献设计了 SiC MOSFET 的驱动电路，通过在器件栅极和源极两端并联电容，减慢开关速度，在牺牲效率的情况下，避免了桥臂串扰引起的驱动振荡问题。但是该研究只是针对电流等级比较小的单管 SiC MOSFET 设计的驱动电路，而随着电流等级的增加，桥臂串扰、驱动振荡以及短路保护问题会变得严峻，有必要对大功率SiC功率模块的可靠驱动进行研究。碳化硅 MOSFET功率模块（SiC MODULE）大电流下的驱动器研究：
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电源电路设计  图1 +12 V转换为+15 V和-5 V电路
图2 -5 V转换-4 V电路
图3 驱动放大电路
图4 短路保护电路原理图

通过实验验证，得到结论如下：

1）所设计驱动器的短路保护功能，当短路保护电流阈值设定为 800A 时候，可以在 1.640 μs内实现快速短路保护。

2）通过采用高可靠性驱动芯片，增加共模滤波电感，优化驱动回路的走线布局，使得所设计的驱动电路具有较高抗干扰性和可靠性，适用于大功率SiC MOSFET模块的驱动场合。