随着电力电子技术的发展,高耐压、高效率、高结温已成为电力电子器件技术的发展趋势。与传统的 IGBT 相比,第三代宽禁带半导体器件SiC MOSFET 在高开关速度、高耐压、低损耗等方面具有优势,已成为近年来新的研究热点。电动汽车要求电驱动系统具有高功率密度、高效率、高工作温度以及高可靠性,SiC MOSFET 在电驱动系统中的优势与潜力,为电动汽车小型化、轻量化的发展注入了新的动力。
然而,SiC MOSFET 的高频、高速开关速度特性,使其对驱动回路与功率回路的寄生参数敏感度增大,在开关过程中更易产生电压电流的过冲和振铃,引发电磁干扰问题,也会导致桥臂串扰和驱动振荡问题,严重威胁电驱动系统的安全。文献设计了 SiC MOSFET 的驱动电路,通过在器件栅极和源极两端并联电容,减慢开关速度,在牺牲效率的情况下,避免了桥臂串扰引起的驱动振荡问题。但是该研究只是针对电流等级比较小的单管 SiC MOSFET 设计的驱动电路,而随着电流等级的增加,桥臂串扰、驱动振荡以及短路保护问题会变得严峻,有必要对大功率SiC功率模块的可靠驱动进行研究。碳化硅 MOSFET功率模块(SiC MODULE)大电流下的驱动器研究:
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电源电路设计 图1 +12 V转换为+15 V和-5 V电路 图2 -5 V转换-4 V电路
图3 驱动放大电路
图4 短路保护电路原理图
通过实验验证,得到结论如下:
1)所设计驱动器的短路保护功能,当短路保护电流阈值设定为 800A 时候,可以在 1.640 μs内实现快速短路保护。
2)通过采用高可靠性驱动芯片,增加共模滤波电感,优化驱动回路的走线布局,使得所设计的驱动电路具有较高抗干扰性和可靠性,适用于大功率SiC MOSFET模块的驱动场合。