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晶圆(碳化硅MOS裸die)
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SiC MOSFET 导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
碳化硅MOS~MODULE
提供以碳化硅MOS芯片SiC MOS晶圆wafer、SiC Module模块为核心的功率转换解决方案,vx:15919711751(微电)
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碳化硅 MOSFET(全碳化硅功率模块)短路特性及保护方法
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碳化硅MOS栅极驱动器示例(SiC MOSFETs驱动参考图)
SiC MOSFET栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例原创 2023-09-01 11:16:15 · 524 阅读 · 1 评论 -
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碳化硅MOS晶圆适用的电压范围为650伏特至3.3千伏特,主要用于1200伏特以上的高频器件,并且具有较高的功率密度特性。原创 2024-01-02 14:06:00 · 597 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS晶粒尺寸<2*2mm耐压1200V/1700V 可内封到基于 MOSFET的光耦继电器
在我之前的一篇文章中,我解释了如何使用基于MOSFET的双向开关来操作任何所需的电气负载,就像标准机械开关一样,但具有非凡的优势。它们使用可忽略不计的电流工作,因此不会耗尽电池供电系统中的电池电量。碳化硅MOS晶粒尺寸<2*2mm耐压1200V/1700V 可内封到基于 MOSFET的固态继电器?相同的 MOSFET 双向开关概念可用于制造理想的 SSR 器件。由于没有机械触点,它们在没有任何形式的咔嗒声的情况下工作。固态也意味着 SSR 的开关速度比传统的机电类型快得多。原创 2023-12-27 15:34:08 · 416 阅读 · 1 评论