![](https://img-blog.csdnimg.cn/20201014180756926.png?x-oss-process=image/resize,m_fixed,h_64,w_64)
碳化硅MOS晶圆( 6inch wafer)
文章平均质量分 62
6 寸碳化硅 mosfet 晶圆,是一种以碳化硅为材料制成的场效应晶体管。
碳化硅MOS~MODULE
提供以碳化硅MOS芯片SiC MOS晶圆wafer、SiC Module模块为核心的功率转换解决方案,vx:15919711751(微电)
展开
-
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封装TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封装TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7转载 2022-12-14 17:22:18 · 669 阅读 · 1 评论 -
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A(碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块)
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A(碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块)原创 2023-02-17 17:04:49 · 657 阅读 · 0 评论 -
光藕继电器封碳化硅MOS芯片更低功耗与高速(6寸国产碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管、模块)
光耦mos封宽带隙、高频、快速开关的碳化硅MOS芯片更低功耗与高速(6寸国产碳化硅晶圆-碳化硅MOS单管、模块)原创 2024-02-28 15:22:34 · 400 阅读 · 0 评论 -
国产(SiC )碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用
国产(SiC )碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用原创 2023-11-13 16:30:26 · 442 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS栅极驱动器示例(SiC MOSFETs驱动参考图)
SiC MOSFET栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例原创 2023-09-01 11:16:15 · 640 阅读 · 1 评论 -
碳化硅MOS晶圆6英寸成熟,在进击8英寸工艺(国产碳化硅MOS芯片、SiC模块)
碳化硅MOS晶圆适用的电压范围为650伏特至3.3千伏特,主要用于1200伏特以上的高频器件,并且具有较高的功率密度特性。原创 2024-01-02 14:06:00 · 685 阅读 · 0 评论