碳化硅MOS
第三代半导体
碳化硅MOS~MODULE
提供以碳化硅MOS芯片SiC MOS晶圆wafer、SiC Module模块为核心的功率转换解决方案,vx:15919711751(微电)
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3.3 kV碳化硅MOS业界领先的(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性
3.3 kV碳化硅MOS业界领先的(SiC)功率器件,实现更高的效率与可靠性原创 2024-05-16 11:34:27 · 382 阅读 · 0 评论 -
碳化硅 MOSFET(全碳化硅功率模块)短路特性及保护方法
SiC MOSFET(功率模块全碳化硅)短路特性及保护方法原创 2024-05-06 10:30:25 · 262 阅读 · 0 评论 -
压缩机控制器的首选方案SiC MOSFET/碳化硅模块,尤其是800V电压平台
电动空调压缩机控制器的首选方案SiC MOSFET/碳化硅模块,尤其是800V电压平台原创 2024-04-22 17:40:52 · 458 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOSFET 大功率 逆变器驱动技术
大功率SiC MOSFET逆变器驱动技术原创 2024-04-16 17:31:57 · 201 阅读 · 0 评论 -
一种消除 VIENNA 整流器输入电流过零畸变的 SVPWM 调制方法
一种消除 VIENNA 整流器输入电流过零畸变的 SVPWM 调制方法转载 2024-04-13 10:56:23 · 122 阅读 · 0 评论 -
碳化硅功率器件国产MOSFET(6寸碳化硅MOS晶圆-碳化硅MOS单管-全碳化硅模块-技术应用详解)
国产碳化硅MOS实现电压650V-1200V-1700V-3300V,单管电流1A-200A;全碳化硅功率模块(SiC MODULE)多种拓扑结构:半桥/三相全桥/三电平等,多种封装62mm-HPD-EasyPACK/2B-Econodual等。原创 2024-03-25 11:24:46 · 585 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS 助力 隔离型双向DCDC变换器-双向变流器PCS
碳化硅MOS 助力 隔离型双向DCDC变换器-双向变流器PCS,直流微电网,交流微电网,光伏并网逆变器,储能逆变器,风电变流器(双馈,直驱),车载电源,数字电源,锂电池,超级电容,燃料电池,能量管理系统以及APF,SVG ,UPQC等。转载 2022-12-08 16:51:09 · 504 阅读 · 0 评论 -
碳化硅模块(SiC MODULE)应用中出现的串扰问题,三种有效应用对策
碳化硅模块(SiC Module)应用中出现的串扰问题,三种有效应用对策原创 2023-06-02 11:25:47 · 688 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS驱动设计及特性
碳化硅MOS优点及驱动设计应用原创 2024-01-17 10:49:22 · 570 阅读 · 0 评论 -
国产(SiC )碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用
国产(SiC )碳化硅MOSFET的封装、系统性能和应用原创 2023-11-13 16:30:26 · 560 阅读 · 0 评论 -
碳化硅模块与SiC MOSFET用于电机驱动的优势在哪里(SiC Module)
SiC开关器件能为电机驱动系统带来的益处总结如下:1:更低损耗‒降低耗电量,让人们的生活更加环保、可持续。2:性能卓越‒实现更高功率密度,通过以更小的器件达到相同性能,来实现更经济的电机设计。3:结构紧凑‒实现更紧凑、更省空间的电机设计,减少材料消耗,降低散热需求。4:更高质量‒SiC逆变器拥有更长使用寿命,且不易出故障,使得制造商能够提供更长的保修期。原创 2023-12-26 14:10:35 · 567 阅读 · 1 评论 -
3300V碳化硅MOS国产化助力特种电源
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高(内阻48毫欧/mΩ)。转载 2023-03-10 09:31:38 · 481 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS晶圆6英寸成熟,在进击8英寸工艺(国产碳化硅MOS芯片、SiC模块)
碳化硅MOS晶圆适用的电压范围为650伏特至3.3千伏特,主要用于1200伏特以上的高频器件,并且具有较高的功率密度特性。原创 2024-01-02 14:06:00 · 866 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性,第三代半导体功率器件。原创 2023-09-20 15:09:58 · 470 阅读 · 1 评论 -
SiC MOSFET单管的并联均流特性及解决办法
SiC MOSFET单管的并联均流特性及解决办法原创 2023-09-12 17:45:25 · 669 阅读 · 0 评论 -
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封装TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7
1700V碳化硅MOS:1A-5A-40A -100A,封装TO-220F, TO247-3, TO247-4, TO263-7转载 2022-12-14 17:22:18 · 735 阅读 · 1 评论 -
电力电子与新能源越来越欢迎SiC MOSFET(国产碳化硅MOS管)技术
电力电子技术与新能源越来越欢迎SiC MOSFET(国产碳化硅MOS管)技术。这是因为碳化硅系统能为电力电子技术与新能源带来众多好处。首先是成本,以新能源车充电机(OBC)为例,能够为DC/DC模块可以省去大量的栅极驱动和磁性元件,相比硅MOS系统,通常碳化硅能够将OBC系统成本降低20%左右。其中,采用SiC技术后,双向OBC的散热成本可降低三分之一。其次是体积和效率。https://pan.baidu.com/s/1yHquvTP-nBg9Ynpt9c2vQg?pwd=8vj9 提取码8vj9转载 2022-11-08 16:36:36 · 682 阅读 · 0 评论 -
电动汽车车载充电机 (OBC) 与车载 DC/DC 转换器技术
一、高性能电动汽车车载充电机(OBC) 电路二、双向充电机(Bi-OBC )技术方案三、车载DC/DC 转换器电路拓扑比较四、充电桩电力电子变换器转载 2022-10-11 15:54:17 · 3254 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A(碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块)
碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A(碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块)原创 2023-02-17 17:04:49 · 720 阅读 · 0 评论 -
碳化硅MOS栅极驱动器示例(SiC MOSFETs驱动参考图)
SiC MOSFET栅极驱动以及SiC栅极驱动器示例原创 2023-09-01 11:16:15 · 900 阅读 · 1 评论 -
传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC,图腾柱无桥PFC技术
碳化硅MOS半导体成为传统的PFC拓扑、普通无桥PFC、双升压无桥PFC,图腾柱无桥PFC技术的主开关管原创 2023-08-16 17:41:28 · 630 阅读 · 1 评论 -
1700V碳化硅MOS内阻7Ω封装TO-220F具有12V栅极驱动的ASC1N1700MF3PB
ASC1N1700MF3P1:具有12V栅极驱动的AST技术2:较低的QG和器件电容(Coss、Crss)3:低VF和低QRR的体二极管4:更快、更高效的切换原创 2023-07-11 15:01:06 · 149 阅读 · 1 评论