固态器件理论（7）结型场效应晶体管

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正文

场效应晶体管由Julius Lilienfeld在1926年和1933年（1,900,018）的美国专利中提出。 此外，肖克利（Shottleley），布拉顿（Brattain）和巴丁（Barden）在1947年正在研究场效应晶体管。尽管如此，极端的困难使他们转向发明双极晶体管。 肖克利的场效应晶体管理论于1952年发表。但是，直到1960年约翰·阿塔拉（John Atalla）生产了一种工作装置之后，材料处理技术才变得不够成熟。

场效应晶体管（FET）是一种单极器件，仅使用一种电荷载体传导电流。 如果基于N型半导体器件，则载流子为电子。 相反，基于P型的器件仅使用空穴。

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场效应管操作

在电路一级，场效应晶体管的操作很简单。 施加到栅极输入元件的电压控制沟道的电阻，即栅极区域之间的单极区域。 （