有源晶振与无源晶振详解：区别、应用与选型指南

一、基本定义

1. 无源晶振（Crystal，晶体谐振器）

   • 结构：仅包含石英晶体，无内置振荡电路。

   • 工作原理：依赖外部电路（如MCU的振荡器）驱动，通过机械振动产生谐振频率。

   • 核心公式：
     谐振频率：f = 1 / (2π√(L1·C1))
     （L1：等效电感；C1：等效电容）

2. 有源晶振（XO，晶体振荡器）

   • 结构：集成石英晶体 + 振荡电路 + 输出驱动，直接输出方波/正弦波信号。

   • 工作原理：内置振荡器，仅需供电即可独立工作。

   • 核心公式：
     输出频率精度：Δf/f = ±ppm值
     （如±10ppm，即每百万秒误差±10秒）

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二、核心区别对比

对比项	无源晶振	有源晶振
电路需求	需外部振荡电路（如MCU的OSC_IN/OSC_OUT）	独立工作，无需外部电路
输出信号	正弦波（需整形电路）	方波/削峰正弦波（直接驱动逻辑器件）
功耗	低（依赖外部驱动电流）	较高（内置电路功耗，通常1mA~50mA）
频率稳定性	±10ppm~±50ppm（受外部电路影响）	±0.1ppm~±50ppm（高精度型号可达±0.001ppm）
成本	低（0.1元~5元）	高（5元~500元，依赖精度和封装）
启动时间	较长（ms级，需起振过程）	短（μs级，上电即稳定）
抗干扰能力	弱（依赖PCB布局和外部电路）	强（内置滤波和稳压）

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三、应用场景

1. 无源晶振的典型应用

• 低成本消费电子：如蓝牙耳机、遥控器（MCU主频≤100MHz）。

• 嵌入式系统：STM32、ESP32等MCU的时钟源（需配置负载电容）。

• 负载电容公式：
  C_load = (C1 × C2) / (C1 + C2) + C_stray
  （C_stray为PCB寄生电容，通常3pF~5pF）

2. 有源晶振的典型应用

• 高频与高精度场景：

  • 通信设备（5G基站、光模块，频率≥100MHz）。

  • 精密仪器（原子钟同步，TCXO/OCXO温补晶振）。

• 复杂环境：工业控制（抗振动、宽温-40℃~+125℃）。

• 直接驱动：FPGA全局时钟、高速SerDes接口（如25Gbps以太网）。

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四、选型关键点

1. 无源晶振选型

参数	选型规则	示例
频率	匹配MCU/芯片要求（如STM32F4常用8MHz/25MHz）	25MHz无源晶振，负载电容20pF
负载电容（CL）	按芯片数据手册要求匹配外部电容	CL=20pF → C1=C2=2×(20pF - 5pF)=30pF
ESR（等效电阻）	低ESR（≤80Ω）缩短起振时间	选ESR=30Ω的ATS-25MX型号
封装	根据PCB空间选择（如SMD3225、HC-49S）	手机用2.0×1.6mm，工控用7.0×5.0mm

2. 有源晶振选型

参数	选型规则	示例
输出类型	CMOS（3.3V）、LVDS（差分）、HCSL（高速）	100MHz LVDS输出（如SiT9121）
频率稳定性	按系统需求选择（如±10ppm工业级，±0.1ppm军工级）	OCXO恒温晶振（如Rakon RSO-100）
电源电压	匹配系统电源（1.8V/2.5V/3.3V/5V）	3.3V供电的EPSON SG-8101
相位噪声	高频场景需低相位噪声（如<-150dBc/Hz@1MHz）	微波通信选Silicon Labs Si5345

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五、设计注意事项

1. 无源晶振布局要点

• 短走线：晶体靠近MCU引脚，走线长度<10mm。

• 铺地隔离：晶体下方铺地，避免与高频信号线平行。

• 电容匹配：C1/C2选用NP0/C0G材质，容差±5%。

2. 有源晶振设计要点

• 电源滤波：电源引脚并联0.1μF+1μF电容，抑制噪声。

• 阻抗匹配：高速输出（如LVDS）需控制差分阻抗（100Ω±10%）。

• 散热管理：大功率OCXO需散热片或强制风冷。

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六、总结与选型建议

• 无源晶振：

  • 适用场景：成本敏感、中低频（≤100MHz）、PCB空间受限。

  • 关键点：负载电容匹配、低ESR、抗振动设计。

• 有源晶振：

  • 适用场景：高频（≥100MHz）、高精度、复杂环境。

  • 关键点：频率稳定性、输出类型、电源噪声抑制。

设计箴言：

“无源省钱靠外驱，有源省心自振宜；
高频高精选主动，低频省电被动齐。”

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注：具体选型需参考器件手册，并通过频谱分析仪验证相位噪声和抖动性能。