08CN10N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 08CN10N-VB TO220 产品简介

08CN10N-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该器件具有100V的漏源极电压（VDS），适用于中等电压应用。其采用Trench技术，具有较低的导通电阻（RDS(ON)）和优秀的开关性能，适用于需要高效能和低功耗的应用场景。该器件在高电流下表现出色，适用于各种需要高电流和中等电压的电路设计。

### 08CN10N-VB TO220 详细参数说明

- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压 (VDS)**：100V
- **栅源极电压 (VGS)**：±20V
- **门限电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：20mΩ @ VGS=4.5V, 9mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**：100A
- **技术**：Trench

### 08CN10N-VB TO220 应用领域和模块

1. **电源管理**：
   - **应用实例**：在开关电源和稳压器中，08CN10N-VB可用于提供稳定的电源输出，适用于各种需要高电压和高电流的电路设计。

2. **电动车辆**：
   - **应用实例**：在电动汽车或电动自行车的电机控制系统中，08CN10N-VB可用于电机驱动，提供高功率和高效率的动力输出。

3. **工业控制**：
   - **应用实例**：在工业控制系统中，08CN10N-VB可用于开关电源、逆变器等，提供稳定的电源转换和控制。

4. **照明**：
   - **应用实例**：在LED照明系统中，08CN10N-VB可用于电源驱动器，帮助实现高效的能源转换和稳定的照明效果。

以上应用场景展示了08CN10N-VB在中等电压和高电流要求下的广泛应用性，适用于多种工业和消费电子领域，确保其在各种电路设计中都能发挥卓越的性能。