米勒电容-Mos管驱动台阶

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米勒电容：

现象-Mos的米勒电容导致，Mos管的上升和下降不够陡峭是Mos管发热的直接原因。

Vgs的测量，是G、S的电压差，并非G和GND的电压差。

Mos管存在三个电容，从Mos手册可以看到电容。

 

Ciss是输入电容，Ccss是输出电容。Cgs会导致上升沿缓慢和振铃现象。Cds影响功率回路。Cgd是米勒电容。 Cgd跨接在G和D之间，使得输出的信号被耦合在了输入端，导致Mos开通时间延长发热，或者Mos误导通烧毁。

        

电容知识：

测试电路：黄-GS，蓝-DS，粉色-SS。

如上图，PWM低电平时，G电平0V，D电平7V，S电平0V，GS=0V，DS=7V，GD=-7V。

当PWM高电平时，GS电压上升，分为4个阶段。

阶段1：PWM高电平时，正电荷从G端向S、D移动，如图Cgd靠近G端为-极板，另一端为+极板，输入的正电荷会将电容的一部分正电荷寄出，Cgd和Cgs逐渐充电。

阶段2：当Vgs电压逐渐上升，Vgs>Vgsth（Mos导通电压），Mos开始逐渐导通，Vds的电压会急剧下降DS像一个开关一样导通，电容Cgd的上极板的电压会急剧下降，Cgd和Vds的大量正电荷通过Mos管被吸到GND端。与此同时Cgd电容的下极板大量吸收正电荷。这些正电荷从驱动端的电流过来。此时大量的正电荷消耗导致输入端不能及时补充，导致Vgs电压不能继续上升。就出现了一个平台，有时米勒电容吸收能力太强，导致输入端供给不上正电荷，以至于从Cgs吸走正电荷，这种情况米勒平台就是凹陷的。

第三阶段：当Cgd米勒电容在大量吸收正电荷的状态不断充电。

第四阶段：当Cgd米勒电容充满电，达到稳定状态，Mos管完全导通，此时Vds于S导通=0V，Cgd电荷稳定。

Cgs电容也有米勒平台，同理，不过Cgs直接连接GND，在PWM高电平第一阶段就会开始吸收正电荷。

危害：

导致电平上升时间延长，Mos管发热，可能会损坏。

解决方法：

上图为在Mos管驱动电路中并联一个10nf电容。该电容用于在启动时存储电荷，当Cgd需要电荷时释放增加驱动能力。

方法3，把Vgs的上升沿，设置在Vds的过零点。就是提前导通，减小米勒现象。

网友办法：

栅极和漏级接个电阻就行，关的时候就放电，频率到了一定程度就不会有后面那么明显的非线性区了

BooST电路：

通过BOOST电路将输入的5V升压到8V。

1、PWM高电平器件，将Mos管看作开关，当Mos关断时，负载由输出电容供电，5V通过Mos接到GND，给电感储能。此时Mos的D端为0V，电路中的二极管不能导通。

2、在PWM低电平期间，Mos管断开，L1为了维持电流不变，会向外输出电压，这个电压会促使二极管导通，电感就能想负载供电，并且向输出电容充电，此时Mos的D端相当于输出电压（输出
+电感供压）+二极管的导通压降，为8.7V。

BUCK电路：降压

当Mos管打开导通时，Vin给L1电感充电，给输出电容充电，并且给负载提供驱动电流，二极管断开。当Mos断开，L1电流保持向右，输出电容也给负载供电，二极管打开。

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Mos驱动电路

一个Mos可以单方向驱动直流电机。

 半桥，上面为上桥上管，下面为下桥下管。

两个半桥为一个H桥电路 

三个半桥为一个三相全桥。

H桥原理：

单片机的四个IO分别控制四个Mos的栅极。

正转Q1、Q4，反转Q2、Q3导通。

输出的PWM可以给到上桥或者下桥。

特别注意上下桥不能同时导通。否则相当于电源和GND短接，会烧坏Mos。

边缘滞后导致导通应避免。

 

电感具有保持电流不变的特性，驱动感性负载需要进行续流。

续流时保持供电的下管导通，电流会经过续流二极管进行续流。 

同时打开两个上桥和下桥可以进行刹车。

可以外接一个大功率电阻，用来限制刹车功率。

刹车和续流不同，电流方向相反。

单片机驱动H桥电路。

需要关注VGSTH和，RDSON对应的VGS电压。

驱动Mos管需要让Vgs能够完全导通Mos管。使用si2302（NMos，需要Vgs>Vgsth才能导通）。VGSTH关断电压为0.4-1.5V

可以看到这个Mos可以用3.3V单片机导通，导通电压Vgs = 2.5-4.5V。

当开始驱动时。Mos管导通，可以看到9V导通，但是Vgs不在满足导通电压会关断。所以需要自举升压电路，来进行持续导通。

那更换PMos（Si2301，PMos需要Vgs<Vgsth -1.5V才能导通）是否可以呢？

 需要导通PMos，我们让单片机输出0V即可。但是关闭行不通了。单片机不能输出大于9V的电压，使的Vgs>-1.5V。

 自举升压电路：

Vgs = 10V可以让Mos管完全导通。

当我们给下管Vgs = 12V，下管导通。

当给上管Vgs = 12V，下管导通，然后S = 12V，Vgs变为0V，Mos关闭断开，仅导通了一瞬间。为了避免这一现象，使用自举升压电路，使G电压和S一起升高，并且使得Vgs一直等于12V，确保上桥持续导通。

实现自举升压可以使用现成的芯片，例如IR2103和EG3013，或者使用分立元件。

C3为自举电容，VS为伏地，左端为VB。假设C3在上一周期已经充满电，14V。H桥的上桥未导通。

当PWM 高电平，Q1、Q2导通，14V通过Q2-D2-R4到达G端大约12V，所以G端电源电压要比设计的MosG端电压高出2V左右。这是Q3的Vb>Ve，Q3断开。此时Mos导通。VM24V加载到S端。而S端和电容右端相连。此时电容右端抬升到24V，电容有保持2端压差不变的特性，所以电容左端的电压会被抬升到24+14 = 38V，这个38V会继续给G端持续供电，约为36V，这样Vgs = 12V。保持导通。但是电容的电荷不断释放会一直导致电压恢复，Mos的GS导通失效。

所以通过PWM = 0V状态给，C3充电，Q1断开、Q2断开，这时C3的泄放路径断开，这是Mos的G端还保持一定的电荷12V，会导致Q3导通。G端的电荷会通过VS泄放，直到为0V，此时Mos断开。当上桥Mos断开，感性负载需要续流，会通过对应的下桥，和左侧下桥的体二极管进行导通泄流。提供续流路径。由于体二极管的导通，会使得VS变为-0.7V，电容无存储能量了，D1会导通，给电容充电。这样一个循环就完成了。将单片机的PWM输入变为24V的PWM输入到电机。完成控制和调速。

自举升压电路的使用和注意事项：

 不能超过100V

 

内部集成死区电路，防止断路。R1和R2为了防止驱动回路产生振铃。阻值20欧左右。

Mos的G端下拉电阻可以省略，因为芯片内部集成了下拉电阻。二极管D1和D2用来加速Mos管关断。 C3和C4 - 10nf功能可能为。1消除米勒平台，2防止Mos管的G端误触发。电容C1为去耦电容，防止供电震荡。C2为自举电容。C2的耐压只需要比VCC15V高一点即可。C2容值可以根据实际情况选择，不一定需要47uf。

注意事项：

1、HIN输入的必须是PWM波，因为HO无法维持长期的高电平。

2、PWM占空比必须小于96%，留4%用来对电容C2充电。

3、电容C2的容值需要足够大，才能维持HO输出高电平，推荐使用贴片陶瓷电容。

4、C2耐压值需要略微大于VCC

5、开关频率过快需要外接快恢复二极管D3

6、因为VCC到Mos的G端有约2V的损耗，所以需要比Vgs的导通电压高2V左右，确保Mos完全导通，减小发热。

7、VS需要连，否则导致短路，上下桥直通。

8、EG3013耐压100V，VCC+VIN不能超过100V，超过了需要换芯片。

9、注意布线时的电流回路，让电流回路尽量小。

图腾柱实例（减小米勒台阶现象）：

图腾柱（Totem Pole）是一种在数字电路中常见的输出驱动电路结构，用于将逻辑信号转换为对外部设备的驱动信号。它通常用于驱动负载，如晶闸管、MOSFET等，以实现数字电路与外部世界的连接。

CRC防止短路电路 

如上图有6个图腾柱电路，通过不同的PWM输出可以看到波形现象。测量C2两端的电压。

可以看到

V1电压有波动，但是基本正常。C2电容有一点下降

可以看到电压被拉低，有短路。

电动自行车控制器电路，为下桥Mos管G端的驱动电路。

可以看到G端供电很陡峭，切供电几乎达到输入电压，电容电压几乎没有波动，很稳定。

原理：PWM = 1，Q1、Q2关断，Q3导通，此时输出为0.3V。PWM=0，Q1、Q2导通、Q3关断，输出为12-0.3=11.7V。减小R5、R6电阻，会使Mos上升沿更加陡峭

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10K改1K

上升更陡峭，但是有震荡，可增加电容减少振铃现象。

短路的Mos图腾柱电路分析：

情景1、

 输出电压不能轨对轨，改为Mos管是否能轨对轨呢。

2、驱动上p下n的H桥，p和nMos驱动逻辑相反，导致上桥开下桥关。直接并在一起为情景1的电路，也不能正常驱动。

此电路存在短路的可能，分析如下：

 上管为P沟道的Si2301，导通条件为，Vgs小于-2.5V。下管采用N沟道的Si2302，Vgs = 2.5V。

 如图电压分析，PWM高电平，Q1导通，Q2导通，输出高电平12V。PWM低电平，Q3导通，输出低电平0V。但是现实情况和我们想象的不一样。

PWM上升沿期间V1存在ns级别的下降沿。此时上管的Vgs为对应的0- （-12V）下降，下管的Vgs为对应的（+12）-0V下降。可以看出两个导通区间存在重叠，上管Vgs在-2.5~ -12V区间导通，对应下管的12V~2.5V导通时间。两管同时导通（上管Vgs  -2.5~ - 9.5V 和 下管Vgs9.5V~2.5V冲突 ）。