CIS散粒噪声

CIS散粒噪声

散粒噪声有光子噪声和电子噪声两种。两者都是由它们各自的载体——光子和电子——的离散性造成的。

首先从光子散粒噪声开始，让我们考虑一个传感器元件，它在稳定照明下每固定时间间隔平均接收N个光子。在每个时间间隔内接收到的光子数量在统计上是波动的，用泊松分布来描述。如果在一个时间间隔内光子的平均数目为N，则k个光子在相同长度的选择间隔内被记录的概率P为：

$$P(k)=\frac{N^k{e}^{-N}}{k!}\text{\hspace{1em}(4.11)}$$

标准差${\sigma }_N$为：

$${\sigma }_N=\sqrt{N}\text{\hspace{1em}(4.12)}$$

这是随机的，独立的光子到达的机制，负责泊松统计。在某些量子系统中观察到，光子发射或到达时间之间的任何关联都会通过偏离方程(4.11)和式(4.12)来表现出来。

如果每个光子产生一个光电子，就像硅中的可见光一样，收集到的电子的数量“继承”了光子的泊松分布。得到的信号将呈现散粒噪声，其标准差由(4.12)给出。

即使入射光子被泊松统计完美地描述，如果它们转化为电子的机制不是真正随机的，那么得到的标准差将不同于(4.12)。这是观察到的高能光子(x射线，伽马)能够产生多个电子空穴对，因为载流子产生的事件不是独立的，而是由能量守恒定律相关的。因此，能量为$E_{ph}$和电子空穴产生能量为$E_w$的光子所产生的电子数的标准差小于泊松分布($\sqrt{E_{ph}/E_w}$)所期望的电子数的标准差，由：

$${\sigma }_N=\sqrt{F\frac{E_{ph}}{E_w}}\text{\hspace{1em}(4.13)}$$

常数F称为范诺因子[2]，小于1，取决于半导体材料。对于硅和Eph>≈50 eV, F = 0.115，这导致标准偏差被大大抑制。这种大大降低的噪声被称为“范诺噪声”，是探测器校准中常用的软x射线能量分辨率的极限。

电子散粒噪声是电流由离散电荷(电子或空穴)组成的结果。单位时间内通过导体的载流子数量的统计波动被视为测量电流中的噪声。

以噪声带宽$B_n$测量的直流电流I中的RMS电流噪声由式给出：

$$\overline{i_{n(rms)}}=\sqrt{2qI{B}_n}\text{\hspace{1em}(4.14)}$$

项$i_n=\sqrt{2qI}$是电流噪声密度，以$A/Hz$为单位测量。与热噪声类似，散粒噪声是白色的，遵循高斯统计，在非常低的电流下转变为泊松分布。散粒噪声与温度无关，只有在有电流时才存在，而热噪声与T成正比，但与电流是否流动无关。

在pn结的正、反向电流和图像传感器的暗电流中，散粒噪声具有一定的特征。为了产生散粒噪声，载流子必须彼此独立到达，这意味着它们要么必须独立产生，就像来自单个陷阱的暗电流一样，要么它们必须穿过屏障，不能在两个方向上自由移动，就像pn结中的正向电流一样。

电荷载流子产生或到达时的任何相关性都可以减少电流的统计波动，从而减少噪声。在导体中，如金属线和电阻器，由于电子之间的长程相关，散粒噪声被强烈地抑制。在简单的电阻电路中，几乎没有散粒噪声。这就是为什么图4.4(a)中的电路中没有射散噪声，而图4.4(b)中有。

来自独立机制和来源的噪声以正交方式加起来，这意味着加的是噪声功率，而不是均方根电压。例如，一个小噪声电流流过一个电阻器，在电阻上产生RMS噪声压降$v_{ns}$。这增加了热噪声电压$v_{nw}$，电阻上的总噪声电压变为：

$$\overline{v_n}=\sqrt{\overline{v_{nw}^2}+\overline{v_{ns}^2}}\text{\hspace{1em}(4.15)}$$

正交求和在N个噪声和情况下，可以扩展到多个噪声源，其形式为：

$$\overline{v_n}=\sqrt{\overline{v_{n1}^2}+\overline{v_{n2}^2}+....+\overline{v_{nN}^2}}\text{\hspace{1em}(4.16)}$$

参考书目：

1. CMOS image sensor，Konstantin D Stefanov，2022