NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路

1、分辨MOS管的方法

对于NMOS我们看下图中的箭头，都是远离源头。
对于PMOS我们看箭头，都是指向源头
P：POSITIVE积极的寻找自己的起源
N：NEGTIVE消极的远离自己的源头

首先明确一点，S是源极，D是漏极
对于NMOS，载流子是电子，我们知道电子的流向都是从源极到漏极，但是电流的流向是从漏极到源极。
对于PMOS，载流子是空穴对，空穴对的流向也是从源极到漏极，与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极，注意区分。

 上图出现的二极管为体二极管，在驱动感性负载（马达）时很重要

2、NMOS PMOS电流方向和导通条件

注意：当防反接应用时，NMOS电流可以从S—>D极，如下举例

NMOS是栅极高电平（|VGS| > Vt）导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。
PMOS是栅极低电平（|VGS| > Vt）导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。

MOSFET（一）：基础_Infinity_lsc的博客-CSDN博客

 

 

 

NMOS因Source端一般接地（低电位），所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压，这样管子才能导通；

PMOS因Source端一般接VDD（高电平），所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压（低与VDD的电压），这样管子才能导通。

3、PMOS开关电路举例

设计并调试好的电路如下图所示，由于供电电压和驱动电压均可以使用12V，所以采用了如下较为简单的方案。

如图所示，Q9 AO3401的栅极（G）通过100k电阻上拉到12V，源级（S）直接连接至12V电源侧，漏极（D）连接到被控设备，被控设备两端并联二极管，用于关断设备后，释放被控设备上的能量。在默认情况下，Q9 A03401的栅极被拉到12V，此时Vgs=0，PMOS处于截止状态，被控设备关断。

控制逻辑如下：

信号Control_Signal=1，动作被控设备得电

Control_Signal=0，被控设备掉电，并通过续流二极管D3释放存储的能量

上图是一个PMOS显然栅极为低导通，为高关断。

P-MOSFET开关连接在负载和正电源轨道(高侧开关)之间，就像我们使用PNP晶体管一样。在p通道器件中，漏极电流的常规流向是负方向的，因此施加负的栅源电压使晶体管接通。这是因为p通道MOSFET是倒置的，其源端连接到正电源+VDD。然后当开关为低，MOSFET打开，当开关为高，MOSFET关闭。

这种P沟道增强型MOSFET开关的倒置连接允许我们将其与N沟道增强型MOSFET串联起来，以产生互补或CMOS开关器件，如图所示，跨越双电源。

 4、NMOS开关电路举例

对上图进行一个说明，首先对于NMOS来说，这里用作控制一个灯。当VIN输入一个高，显然NMOS导通，那么灯被点亮。对于VIN输入一个低，那么NMOS关断也灯被关断。
这里尤其注意一点，如果将负载换成一个感性的负载比方说线圈或者继电器，我们可以在其两侧并联一个二极管，这个二极管可以用来续流，从而防止关断NMOS 的瞬间产生的反电动势损坏NMOS

 
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