ESD保护器件原理

已于 2023-11-01 14:42:29 修改
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分类专栏： EMC 电子元器件 文章标签： ESD防护原理和器件
于 2023-04-06 15:36:46 首次发布
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本文详细介绍了ESD静电防护原理，ESD器件的防护机制，以及TVS管与ESD管的区别。重点阐述了ESD保护器件在高速数据传输应用中的重要性，包括其低电容特性、保护作用以及主要性能参数如最大工作电压、触发电压、钳位电压等。同时，讨论了不同类型的ESD保护器件，如TVS、压敏电阻、ESD抑制器的特性与应用场景。
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TVS ESD管的工作原理
qizhi321123的博客
02-06 5684
1.TVS管工作原理 TVS（Transient Voltage Suppressors）二极管，即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管，是采用半导体工艺制成的单个PN结或多个PN结集成的器件。TVS二极管有单向与双向之分，单向TVS二极管一般应用于直流供电电路，双向TVS二极管应用于电压交变的 电路。当应用于直流电路时，单向TVS二极管反向并联于电路中，当电路正常工作时，TVS二极管处于截止状态（高阻态），不影响电路正常工作。 当电路出现异常过电压并达到TVS二极管击穿电压时，TVS二极管迅速由高电阻状态突
什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计
GJZGRB的博客
06-24 3774
ESD冲击金属屏蔽外壳时，最初几毫秒会比保护地电压高出许多，屏蔽外壳电压会随着 ESD电荷的转移而下降，所以最初的几毫秒内会对内部电路产生二次ESD冲击，所以仅仅使用外部屏蔽还不够，内部电路与屏蔽外壳必须共地，或者把内部电路 进行介质隔离。因此，作为主要的ESD危害来源，所有进入静电保护区域(EPA, electrostatic protected area)的工作人员必须接地，以防止任何电荷累积，并且所有表面应该接地，以维持所有东西都在相同的电势，防止ESD发生。该问题被每天的引起损害的活动复合在一起。
TVS和ESD那些事儿
最新发布
weixin_40073649的博客
08-15 758
反向工作峰值电压， TVS二极管的最高工作电压，可连续施加而不引起TVS二极管劣化或损坏状态下，达到的最大的直流电压或交流峰值电压。在VRWM下，TVS二极管是不工作的，不导通，仅流过规定的漏电流。电路正常工作时TVS二极管处于截止状态，当电路出现过电压并达到TVS二极管击穿电压时，TVS二极管由高阻态变为低阻态，分流由异常过电压导致的瞬时过电流到地。4).TVS管的钳位电压VC要小于后级被保护电路的损坏电压，一般VC比VBR高35~40%，或比VRWM高60%，VC越低越低对电路保护作用越好。
ESD器件防护原理
weixin_43839976的博客
07-13 4463
一、ESD器件的主要性能参数 1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值)，在此工作状态下ESD器件不导通，保持高阻状态，反向漏电流很小。 2、击穿电压(Breakdown Voltage) ESD器件开始动作(导通)的电压。一般地，TVS管动作电压比压敏电阻低。 3、钳位电压(Clamping Voltage) ESD器件流过峰值电流时，其两端呈现的电压，超过此电压，可能造成ESD永久性损伤。 4、漏电流(Leakage Current)
ESD元器件防护原理及选型
Me sl ·的博客
07-01 916
通常情况ESD保护电路如下。 当系统没有干扰，正常工作时，ESD器件可以忽略，几乎不起作用。 当外部接口电压超过ESD器件的击穿电压（VBR）,ESD器件开始起作用，并将电流分流到地。 实际ESD器件的工作电压（VRWM）与击穿电压（VBR）的区别，选择ESD器件应该选择系统工作电压小于ESD器件的工作电压（VRWM），例如系统是0~5V，那么我们应该选择工作电压（VRWM）大于5V的TVS。 单向ESD器件和双向ESD器件，双向ESD器件可以通过正负击穿电压（VBR）的信号，而单向
ESD介绍及TVS的原理和应用
dyx1993的博客
03-23 741
TVS，瞬态抑制二极管(TVS)又叫钳位型二极管，是目前国际上普遍使用的一种高效能电路保护器件，它的外型与普通二极管相同，但却能吸收高达数千瓦的浪涌功率，它的主要特点是在反向应用条件下，当承受一个高能量的大脉冲时，其工作阻抗立即降至极低的导通值，从而允许大电流通过，同时把电压钳制在预定水平，其响应时间仅为10-12毫秒，因此可有效地保护电子线路中的精密元器件。TVS允许的正向浪涌电流在TA＝250C，T＝10ms条件下，可达50～200A。
ESD及TVS
logan
05-05 4623
将ESD静电保护二极管并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态（高阻态），不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压钳制在一个安全水平之内，从而保护被保护IC或线路；ESD器件封装的大小从一定程度上可以反应器件的防护等级大小，一般封装越大的器件可容纳的ESD芯片面积也越大，防护等级也越高，反之亦然。VC：钳位电压， ESD器件流过峰值电流时，其两端呈现的电压，超过此电压，可能造成ESD永久性损伤。
【资料分享】ESD防护设计-常见ESD保护电路图
岛主_Landor的博客
06-08 3043
基于可能发生的ESD事件分析,ESD可能会发生在I/O、PIN与电源和地之间，也会发生在不同的I/O PIN之间，也可能出现在电源和地之间，因此对于ESD保护电路的设计需要考虑所有可能发生ESD的情形。（4）ESD保护结构的设计要在电路的ESD性能、芯片面积、保护结构对电路特性的影响如输入信号完整性、电路速度、输出驱动能力等进行平衡考虑设计，还需要考虑工艺的容差，使电路设计达到化;在集成电路设计中加入ESD保护电路，当ESD来的时候，ESD保护电路发挥保护效果，避免集成电路内的元件被ESD损伤。
ESD笔记（一）_ESD基础
weixin_47139649的博客
07-22 1万+
基本ESD模型 将一个电容充电到高电压（一般是2kV至8kV），然后通过闭合开关将电荷释放进准备承受ESD冲击的“受损”器件（图1）。电荷的极性可以是正也可以是负，因此必须同时处理好正负ESD两种情况。 (1 ) HBM ( Human Body Model)，人体放电模型； 指带电荷的人体与集成电路产品的管脚接触并发生静电荷转移时，产生的ESD现象。 人体等效电阻约1500欧姆，等效电容值为lOOpF，Ls与Cs寄生电感和电容。该ESD放电产生电流波形的上升时间在2~ 10ns范围内，持续时间在150
静电放电ESD保护器件的模拟与仿真-综合文档
05-19
在本综合文档中，我们将深入探讨ESD保护器件的模拟与仿真，以确保电子产品的安全性和可靠性。 ESD的基本原理是当带电物体接近或接触另一物体时，电荷会迅速转移，产生瞬间高电压和大电流。这种快速的能量释放可能对...
电源技术中的什么是ESD（静电放电）及ESD保护电路的设计
10-15
静电放电(ESD， electrostatic discharge )是在电子装配中电路板与元件损害的一个熟悉而低估的根源。它影响每一个制造商，无任其大小。虽然许多人认为他们是在ESD安全的环境中生产产品，但事实上，ESD有关的损害继续给世界的电子制造工业带来每年数十亿美元的代价。     ESD究竟是什么？静电放电(ESD)定义为，给或者从原先已经有静电(固定的)的电荷(电子不足或过剩)放电(电子流)。电荷在两种条件下是稳定的：     当它“陷入”导电性的但是电气绝缘的物体上，如，有塑料柄的金属的螺丝起子。     当它居留在绝缘表面(如塑料)，不能在上面流动时。     可是，如
静电放电(ESD)原理
03-14
详细讲解ESD的原理 认识ESD 静电产生的机理 静电源与静电放电 摩擦带电序列表 静电产生方式及相应的静电压 湿度与静电压的关系 混合电路仿真的器件 电子设备ESD失效机理 等等等等等等的
安森美半导体ESD保护器件ESD7M5.0D-D 数据手册.pdf
10-18
ESD保护器件能在接收到ESD冲击时迅速导通，将电流分流，从而保护后端电路不受损害。 2. ESD7M5.0D-D器件特点： - 超低电容：该器件的二极管电容仅为2.5皮法（pF），有助于维持信号完整性，适合保护高速信号线路。 ...
安森美半导体ESD保护器件NUP5120-D 数据手册.pdf
09-16
上述内容体现了NUP5120-D作为ESD保护器件的关键参数、工作原理、应用场景以及使用和存储时应当注意的事项。由于这类ESD保护器件的普及，为了确保电子设备的可靠性和寿命，选择合适ESD保护器件在电路设计和应用中显得...
ESD保护器件以及应用.doc
10-29
ESD保护器件，全称静电放电保护器件，是电子设备中不可或缺的组成部分，尤其是在现代电子信息技术快速发展的背景下。随着半导体器件向着小型化、高密度和多功能化发展，尤其是时尚消费电子和便携式产品的广泛应用，...
什么是ESD？
ahch8077的博客
05-17 600
简言之，ESD就是电荷的快速中和，电子工业每年花在这上面的费用有数十亿美元之多。我们知道所有的物质都由原子构成，原子中有电子和质子。当物质获得或失去电子时，它将失去电平衡而变成带负电或正电，正电荷或负电荷在材料表面上积累就会使物体带上静电。电荷积累通常因材料互相接触分离而产生，也可由摩擦引起，称为摩擦起电。 有许多因素会影响电荷的积累，包括接触压力、摩擦系数和分离速度等。静电电荷会不断积...
电路设计_ESD保护
会选科技的博客
02-24 816
电路设计_ESD保护
搞定ESD（一）：静电放电测试标准解析
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记得诚
09-24 1万+
ESD（Electrostatic Discharge）静电放电定义：标准定义：根据 GB/T4365-2003 电工术语 电磁兼容对静电放电的定义：具有不同静电电位的物体靠近或者接触引起的电荷转移。通用定义：两个具有不同静电电位的物体，由于直接接触或者靠近引起两物体间电荷传递。电荷传递的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象就是静电放电。接触放电方法：试验发生器的电极保持与受试设备的并由发生器内的放电开关激励放电的一种试验方法。空气放电方法。
ESD保护器件：TVS在消费电子与便携产品中的关键应用
ESD保护器件，尤其是TVS，是电子设备设计中不可或缺的一部分，它们通过其特有的特性和工作原理，确保了在高度集成和小型化的电子世界中，电路免受ESD带来的潜在威胁。随着技术的进步，ESD保护器件将进一步优化，为...
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