科普:芯片中的“层”,“层层”全解析
目前,三星的3D V-NAND存储单元的层数已由2009年的2层逐渐提升至24层、64层,再到2018年的96层[2],2019年8月完成128层V-NAND闪存的开发,并实现量产。以图5所示的晶体管和图6所示的闪存单元举例,电路元器件的结构不管是平面的(图5a、图6a),或者是侧向的(图5b、图6b),元器件上面不再有元器件的堆叠。为了节省硅片面积,在下面的电路层制作完成之后,可以继续在其上制做另一层电路层,形成两个、甚至多个电路层在硅晶圆上的堆叠,在芯片制造阶段就完成了3D芯片的制造。
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