IR Drop

IR Drop
1、定义
​ 即电压降，就是指从芯片源头供电到instance所消耗的电压，对于flipchip封装形式，就是从bump到instance PG pin的电压降。Instance实际得到的电压就是供电电压减去电压降的部分。比如bump接的外界输入电压Vdd 5V，Vss 0V，这个bump的电压到某一个instance后，可能Vdd只剩4V，Vss变为1V，那么这个instance得到的电压就只有3V，电压降就是2V。IR drop是芯片后端signoff的一项重要内容，必须保证IR drop不能过大，否则芯片可能会因为得不到所需的电压而发生逻辑错误或停止工作。这个IR drop也是会有相应spec要求的，一般会按照供电电压的百分比来定，如果定了10%，对于5V的输入来说，就要求IR drop不能大于0.5V
注：解释了什么是bump（植入的金属球？）
https://www.sohu.com/a/462267410_132567
2、
R drop 主要分为两种。一种是静态的 IR drop，另外一种则是动态的 IR drop。

• 静态 IR drop
  现象产生的原因主要是电源网络的金属连线的分压，是由于金属连线的自身电阻分压造成的。电流经过内部电源连线的时候产生电源压降。所以静态 IR drop 主要跟电源网络的结构和连线细节有关。因此静态 IR drop 主要考虑电阻效应，分析电阻的影响即可。
• 动态 IR drop
  电源在电路开关切换的时候电流波动引起的电压压降。这种现象产生在时钟的触发沿，时钟沿跳变不仅带来自身的大量晶体管开关，同时带来组合逻辑电路的跳变，往往在短时间内在整个芯片上产生很大的电流，这个瞬间的大电流引起了 IR drop 现象。同时开关的晶体管数量越多，越容易触发动态 IR drop 现象。
  。
  一般会有三个比较关心的指标：peak IR、average IR、RMS IR。Peak IR即为电压降的峰值，我们需要保证峰值压降也在可接受范围内。Average IR指的是每个周期的平均压降，其实也有点类似static IR，但是计算方式会有所差异。RMS IR指root mean squre IR，也就是算IR drop随时间变化的方差，有的时候我们需要保证instance的电压降要平缓的变化，RMS就可以反映电压降随时间的离散程度。一般来说，dynamic IR的计算耗时很长，适用于找到个别instance的violation，而后针对性的调整某个instance。可以挪动它的位置到IR比较好的区域，也可以针对性的在某一块补一些PG mesh。

3、危害

• 性能下降
  电压降低后，gate 的开关速度变慢，性能降低。因此，对于高性能的设计，必须将 IR Drop 控制在很小的范围内。
  有没有常用参考电压的百分比（质量标准中的，找到在添）？一般控制在多大的比例范围内是合理的？
• 芯片功能错误
  在极端的情况下功能也会受影响的。在深亚微米下，如果 power network 做的不够好，然后碰上了很不好的 case，IR drop 在某个局部区域特别大（特别是动态 IR drop），从而导致 STA 阶段 signoff 的 timing 与实际情况不一致（考虑 OCV 仍然无法 cover design 的要求），导致 setup 或者 hold 的违例。setup 的违例，可以通过抬高电压来提升频率（setup违规为什么是升频?），但是代价是功耗上去了，而且如果动态 IR drop 不够 robust，可能通过抬电压，setup 能提升的空间也有限。而一旦出现 hold 违例，那芯片就无法正常工作。因此在先进工艺中，IR drop 的影响特别大，需要引起各位的高度重视。

4、改善
提高 power mesh 密度
增加 power switch cell 数量
插足够多的 decap cell（含 decoupling capacitance）
将同时翻转的寄存器摊开些摆放