晶圆背面研磨与湿式刻蚀工艺

前言

在许多 IC 工艺辅助配件进行蝴蝶研磨（背面研磨、研磨），使装片薄形化，例如：用巧克力蛋糕及智能封装等。到200~40μm。在珍珠打磨之后，有许多产品需要进行工艺，包括：离子布植（离子实现）、热处理（热处理）和钯金属（背面金属；BM）沉积等。晶移动研磨曲后产生的爆发和翘曲，如果会过大，就会扩展到锐化的区域。工艺之良率例如：胶膜去除（De-tap）、使用持取（Wafer Handling）和封装（Packaging & Assembly）等工艺，必须工艺之能及破坏层。

硅的湿式刻蚀原理及机台设计考虑

在半导体工艺中，硅的腐蚀刻蚀是一种各向同性刻蚀硅的腐蚀腐蚀液，通常由不同的火花产生的硝化腐蚀。酸HNO3）、氢氟酸（HF）及一种缓冲液（例）如：水、三个、三个）所组成。刻蚀的反应机构，包括两个步骤：（1）首先是利用硝子酸（HNO3）来硅硅表面，如式1 及式 2 所示；（2）硅衬底所形成的表面氧化物（SiO2）

扩散反应控制

化学反应控制

反应物反应生成物

结论

使用硅湿式刻蚀工艺，可以大幅度地删除袖子打磨所产生之激及损伤层，增加了大量针强度。对硅湿式刻蚀工艺原理及设备之设计考虑作一塑一探讨。本研究弘扬科技所设计制造之自动化UFO设备，进行硅湿式刻蚀工艺采用，利用硅设备刻蚀工艺利用，借流流之特殊设计与机构培育。实验结果显示 12 英寸硅片吸附吸收度可达到 5%。弘塑科技 UFO M3-Type 支架可持取曲曲度达±4mm，在薄化吸附上取能力方面，可过滤取一般最大的最薄厚度为150μm，太鼓回收的最薄厚度为50μm。