《炬丰科技-半导体工艺》 高频磷化铟芯片晶圆级背面加工

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：高频磷化铟芯片晶圆级背面加工
编号：JFKJ-21-1145
作者：华林科纳

一直致力于减少磷化铟(InP)中的衬底共振和地面反弹效应，基于通过晶圆级背面处理的芯片。目的是确保芯片在亚毫米波长电磁辐射和高速应用所需的频率下稳定运行。

HEMTs应用于射频功率和低噪声放大器。“接地反弹”问题是指由于器件主体中寄生电容和电感的反馈，接地电位在高频时不稳定。地面反弹会在小信号响应中产生波峰和波谷，并增加群延迟波动。通过衬底过孔或焊线将集成电路接地层连接到模块接地电位，可以提高接地稳定性。基片共振是由射频波长与集成电路尺寸的数量级引起的——毫米波可以在毫米芯片空腔中共振，使用晶片变薄和密集通孔结构来减少这些共振效应。

该过程由许多步骤组成(图1)。首先，使用基于环氧树脂的紫外光固化粘合剂，将磷化铟晶片以衬底侧朝上的方式安装在玻璃衬底上，磷化铟晶片通过研磨变薄。最终厚度为100米或50米，较小的值用于更高频率的性能。控制温度以避免粘合剂降解，同时，温度需要在150℃以上，以便在材料去除过程中有效升华卤化磷化铟。

图1
（图1）在蚀刻过程中，它使用了一个间歇冷却步骤来精确和可再现地控制衬底表面温度，满足严格的热约束，获得了约1.5 m/min的磷化铟蚀刻速率，具有良好的再现