晶圆减薄工艺及其关键可制造性要求

摘要

晶圆薄化是实现集成电路小型化的主要工艺步骤，硅片背面磨至70微米的厚度被认为是非常关键的，因为它很脆弱。本文将讨论关键设备检查项目的定义和设置险。 所涉及的设备是内联晶圆背面研磨和晶圆安装。本研究采用定性方法，通过应用过程映射来识别关键字过程步骤。 结果表明，建立了关键设备子流程 步骤如研磨，分层和胶带。

介绍

电子封装的发展同时也预测了对更薄架构的需求集成电路封装内部如较薄的基材，模盖，胶粘剂粘合介绍了线厚和模具厚度。

问题解决

为了实现晶圆或硅片的细化，需要使用超精密研磨机[1]进行。现在，有几个问题和要求在扩散过程中遇到开发到制造阶段。

精算估值

材料晶圆减薄将集中在200毫米晶圆尺寸使用超细背部研磨机。设备将有一个完整的晶圆回磨，工艺:粗、精、CMP; 和连接到一个完整的晶圆贴片过程。

设备

图1 晶圆制备过程

图2 推荐纹理设置

表1 主轴研磨前后角度调整