《炬丰科技-半导体工艺》使用超临界二氧化碳的晶圆清洗技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：使用超临界二氧化碳的晶圆清洗技术
编号：JFHL-21-1051
作者：炬丰科技

引言

半导体技术及产业反复急剧发展。小资的集聚技术越来越复杂。因此，可以快速收集大量资料。但是，这也需要在高度计算、大量多媒体的数据和精密测量、制导等领域有更高性能的计算机，因此不断要求器件的高密度化技术。器件密度的提高意味着线宽变窄。也就是说，生产芯片的工艺变得更加精细和精密。在晶片上制造半导体牛字的过程中，经过逐步的过程，表面的污染物将呈几何级数增长，受这些污染物的影响，半导体器件的数量率将急剧下降。为了应对这种情况，虽然最理想的方法是逐步采用清洁工艺，完美地清除晶片表面的所有污染物，但这几乎是不可能的。因此高密度电路的性能。信赖性和生产良品率是由制作时使用的晶片或制作后元件表面存在的物理化学中不必要的杂质决定的。即使超精细化技术发达，如果清洁工艺不完善，发挥功能的元件也无法得到。也就是说。清洁技术不是半导体器件的清洁，而是半导体器件的制造技术。

半导体晶片清洗技术

半导体制造工艺可以大致分为硅片制造工艺、氧化和沉积工艺、光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺、等离子烧结工艺和光子晶体剥离工艺，工艺和工艺之间需要大量的清洗工艺(FIGUREST)。蚀刻和离子注入过程需要30次以上，具体取决于半导体的高密度聚集，每个过程后必须进行清洗和冲洗3次以上，以清除残留的波多黎各或污染物。单独的干燥过程必不可少。半导体晶片上有很多污染物，如图2所示，有机物、无机物、金属离子、天然酸化膜和微粒等。

上述各种污染物通过人、清洁设备、三种精材料等多种途径产生，如果不去除，对半导体器件产生多种不利影响，从而降低半导体的产出率，因此在半导体制造过程中，清