晶圆基板清洗和干燥的基础研究

引言

CMP装置被应用于纳米级晶圆表面平坦化的抛光工艺。抛光颗粒以各种状态粘附到抛光后的晶片表面。必须确实去除可能成为产品缺陷原因的晶圆表面附着物，CMP后的清洗技术极为重要。在本文中，关于半导体制造工序之一的CMP后的晶圆清洗工序，通过可视化实验，从流体工程学的观点出发，阐明其机理，以构筑能够在各种条件下提出最佳清洗方法的现象的模型化为目的。因此，我们进行了可视化实验、流动特性、剪切流动特性、液体置换特性、液滴的蒸发除去特性等基础研究。

实验

药液清洗过程：由于CMP后的晶圆表面附着有多个磨粒，因此通过刷子清洗等施加物理外力，使磨粒剥离，通过液流（药液）排出。由于转数、流量等条件会受到怎样的影响，至今还没有得到确认。因此，对向旋转的晶圆上供给冲洗水时的冲洗水的流动特性进行了可视化观察。具体来说，我们观察了将溶解了白色颜料的纯净水供给到旋转的晶圆表面时液膜的扩散方式，调查了根据晶圆的种类、旋转数、供给流量，液膜的扩散状态是如何变化的。

通过旋转圆盘上的液流去除晶片附着粒子：通过由晶片的旋转引起的剪切液流来估计可以去除粘附到晶片表面的细颗粒的细颗粒直径。首先，图1表示液膜内速度分布的定义以及作用于晶圆上微粒子的力的模式图。结果显示，特别是在转数500 rpm时，Si3N4粒子平均可去除0.15μm。可以认为，这是因为随着旋转数的增加，液膜速度变快，对粒子产生了较强的分离力。但是，可以确认半径50～60 mm附近可除去微粒子的直径有所增加。可以认为，这也是由于跳水引起的，因为在跳水中流速急剧丧失，作用于粒子的分离力也丧失了。