先进器件的CMP后清洗技术

引言

半导体的制造以硅晶圆为起点，经过形成前工序的晶体管的FEOL，插头形成的MOL，以及连接晶体管作为电子电路发挥作用的布线工序的BEOL，形成器件芯片，在后工序中，将芯片进行个片化后进行封装，完成。随着芯片的高性能/低电力化，工艺变得复杂化，仅前工序就已经达到数百工序，其中约1/4～1/5被清洗工序所占据。特别是在FEOL中，1970年开发出了组合高纯度药品使用的RCA清洗，现在也被广泛使用。在本文中，为了在半导体制造中的平坦化工艺，特别是在形成布线层的工程中实现CMP后的高清洁面，关于湿法清洗所要求的功能和课题，关于适用新一代布线材料时所担心的以降低腐蚀及表面粗糙度为焦点的清洗技术，介绍了至今为止的成果和课题，以及今后的展望。

清洗的原理和机理

一般来说，在酸性溶液中，金属离子的去除性很好，但颗粒的去除性很低。另外，在碱性溶液中，虽然颗粒的去除性很好，但金属离子作为氢氧化物等析出，与基板表面形成化学结合，难以去除。因此，如图1所示，通常在酸性溶液中以控制表面电位为目的添加了表面活性剂，在碱性溶液中为了防止金属离子的析出而添加了络合剂。并且，为了溶解去除有机残渣，还进行了添加使不溶性有机残渣可溶化的成分等的努力。

图1 清洗洗基本设计

与尖端装置相对应的清洗技术

将钴作为铜配线的阻挡金属使用的配线基板，分别浸入酸性溶液࿰