《炬丰科技-半导体工艺》湿法清洗中的金属杂质分离

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：湿法清洗中的金属杂质分离
编号：JFKJ-21-623
作者：炬丰科技

刻或离子注入，会导致高达10i2-1013 atom/em2的金属污染。湿法工艺对于去除干法加工过程中引入的这些： 金属杂质变得越来越重要。
硅片清洗的一般方法和金属杂质
—般目前的硅片清洗有五个目的:去除有机物质中的氢、硫，，去除颗粒和金属杂质，去除HCI-H2O2-H2O清洗中的金属杂质，去除天然氧化物，去除超纯水漂洗中的在超大规模集成生产中，要实现低温加工和高选择性，使硅片表面超洁净至关重要。超净晶圆表面必须完全 没有颗粒、有机材料、金属杂质、天然氧化物和表面微粗糙度，和吸附的分子杂质。目前的干法工艺，如反应离子蚀清洗液。表一显示了我们采用的硅晶片湿法清洗工艺。图2显示了在每个湿法清洗工艺步骤中测量的硅晶片上的金属浓度。很明显，在每个工艺步.骤中都不会产生金属污染。

液体中硅上金属杂质分离的评价方法
液体中的金属离子在硅晶片上的沉淀被认为是基于以下两种机制。第一种机制是由于金属离子与硅原子或硅表面的氢原子之间的离子交换而产生的沉淀。另一种沉淀机制是，随着天然氧化物在硅表面上生长，金属离子被氧化，并作为氧化物包含在氧化物膜中。具体解释 略

用稀释的氟化氢溶液去除金属杂质 略
结论 略