《炬丰科技-半导体工艺》无颗粒晶圆清洗干燥技术

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：无颗粒晶圆清洗干燥技术
编号：JFKJ-21-986
作者：炬丰科技

引言

彻底消除半导体加工环境中所有可能的杂质对于实现亚微米至更低亚微米特征尺寸的ULSI器件非常重要。很明显，晶片表面上的残留污染物应该随着图案密度的增加而显著减少。湿法化学工艺在超大规模集成电路制造技术中占有非常重要的地位。随着超大规模集成电路器件图案密度的增加，越来越需要无污染的清洗和干燥系统。对于通过化学溶液处理从硅r中去除颗粒污染物，已经发现NH OH-HCO溶液是极好的，并且溶液中NH OH的比率可以减少到标准比率的1/10，同时保持高的去除效率。通过降低NH，OH含量，将减少在NH < OH-H T3处理期间出现所谓雾度的晶片损伤。为了建立一个无颗粒的干燥系统，开发了颗粒生成异丙醇蒸汽干燥系统。通过从干燥系统中消除所有可能的颗粒产生源，ultrsclesn晶圆干燥设备得以实现。
通过比较各种清洗方法的清洗效率，研究了颗粒物污染对李思-康表面清洗的影响。并且，为了实现无颗粒干燥系统，开发了IPA蒸汽干燥设备，在该设备中，在干燥区域完全消除了颗粒的产生，并且研究了影响晶片表面清洁度的因素。

实验

清洁实验：
在人工污染的晶片上进行晶片清洗实验。直径为0.43 pm的聚苯乙烯乳胶球和直径为0.5 pm的二氧化硅乳胶球分别用作有机和无机人工颗粒污染物。用于测试的硅片直径为3英寸，取向为(1，0，0)p型(6-8ii-cm)或n型(3-5II-厘米)。将含有7×10-7×10’0颗粒/毫升的胶乳悬浮液稀释至10’—10’颗粒/毫升，滴在晶片表面，然后甩干。通过这一过程，每个表面上具有500-2000个颗粒的晶片被准备用于清洁测试。
使用扫描电子显微镜观察晶