该文章由炬丰科技撰写，探讨了GaN基LED在不同温度下的电流性能和光电特性。实验使用MOCVD方法在蓝宝石图形衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱外延片。随着温度降低，LED的正向伏安特性曲线显示电压升高，光强与电流的关系未出现饱和现象。电致发光光谱分析揭示了温度和电流对光谱的影响。
书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：LED 电流性能
编号：JFKJ-21-305
作者：炬丰科技
引言
氮化物材料系具有优越的性能，GaN 基器件的制备与应用已经在各个领域取得显著的研究进展。将 GaN 外延膜转移到新的基板上获得垂直结构的 LED 器件，相对同侧结构器件能明显改善各项光电性能。
实验
实验所用外延片为蓝宝石图形衬底上用 MOCVD 方法外延生长的蓝光 InGaN /GaN 多量子阱外延片，包含 1．2 μm GaN 低温缓冲层。
结果与分析
1 I-V 特性分析
图 2 是样品在不同温度( 100 K、125 K、150 K、200 K、300 K、350 K) 下的正向伏安特性曲线，从图 2 可以看出，随着温度的降低，相同电流下的电压升高。
LED分析
图 3a 是不同环境温度下的光强与电流的关系，图 3b 是 不同电流下的光强( 归一化) 与环境温度的关系。图 3a 展示 了 100 ～ 300 K 下电流增加到 750 mA，样品的光强没有出现 饱和现象。
EL 光谱分析
图 6 是 0．05 mA、0．1 mA、11 mA、75 mA、100 mA、200 mA 及不同温度下的电致发光( EL) 光谱，图 6 中的实线是实测光 谱，其多峰现象是 Fabry-Perot 干涉引起的，虚线是其高斯拟合曲线。
结论 略
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