《炬丰科技-半导体工艺》GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》

文章：GaN、ZnO和SiC的湿法化学蚀刻

编号：JFKJ-21-830

作者：炬丰科技

摘要

宽带隙半导体具有许多特性，使其对高功率、高温器件应用具有吸引力。本文综述了三种重要材料的湿法腐蚀，即氧化锌、氮化镓和碳化硅。虽然氧化锌很容易在许多酸溶液中蚀刻，包括硝酸/盐酸和氢氟酸/硝酸，在非酸性乙酰丙酮中，第三族氮化物和碳化硅很难湿法蚀刻，通常使用干法蚀刻。已经研究了用于氮化镓和碳化硅的各种蚀刻剂，包括水性无机酸和碱溶液以及熔融盐。湿法刻蚀在宽带隙半导体技术中有多种应用，包括缺陷装饰、通过产生特征凹坑或小丘识别极性和多型(用于碳化硅)以及在光滑表面上制造器件。对于氮化镓和碳化硅，在室温下电化学刻蚀在某些情况下是成功的。此外，光辅助湿法蚀刻产生类似的速率，与晶体极性无关。