EDA工具里的功耗分析方法（上）

最新推荐文章于 2023-11-15 21:07:28 发布

艾思芯片设计

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分类专栏：学习文章标签：功耗 EDA

本文链接：https://blog.csdn.net/i_chip_backend/article/details/118303553

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在当下的芯片设计中，工艺越先进，芯片规模越大，功耗就越发敏感，降低功耗的诉求越来越紧迫。在小编过往的文章中，有过低功耗设计实现的一些讨论，具体猛戳如下链接：

浅谈芯片低功耗的设计实现（上）
浅谈芯片低功耗的设计实现（下）
优化一定是建立在计算和数据的基础上的，那么对于EDA而言，功耗是怎么算出来的呢？今天，就让小编带领大家一起从EDA的视角，来洞察功耗计算的零零总总。
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开篇之前，先复习一下功耗的计算公式：

Total Power
Dymanic Power		Leakage Power
Switching Power	Internal Power
P_swithing=¹⁄₂V² ×C_load ×T_r	P_internal=V×T_r ×Q_x	P_leakage=V×I_leakage

注解

V ：器件电压
$C_{load}$ ：器件有效负载电容
$T_{r}$ ：翻转率
$Q_{x}$ ：一次翻转过程中从电源流到地的电荷量
$l_{leakage}$ ：漏电电流

EDA对功耗评估的分类

基于上述功耗的计算理论，为了方便计算，EDA工具对与功耗的评估分为如下几类

基于library非功耗的信息，计算功耗

switching power可以结合设计状态，通过演算获取功耗

V：用户定义，和library保持一致
$C_{load}$ ：负载输入input pin的电容（来自于负载器件的pin的library信息）和绕线寄生电容（RC回路模型）
$T_{r}$ ：频率变化信息，由设计里的信号翻转的信息决断

input pin的cap描述

基于SDPD的功耗查看

leakage power可以基于SDPD，直接查看library获取功耗

基于器件输入状态进行功耗查看：器件状态决断SDPD （Status Dependency Path Dependency）
library同时提供默认的leakage power的功耗信息

基于SDPD和pin的属性查找表

internal power可以基于SDPD和input/outputl 的RC属性查找表来获取

基于SDPD的数据查询
input pin：基于input transiton的查找表
output pin：基于input transiton和output cap的查找表
cel的internal power是所有pin在SDPD下的总和

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注释：SDPD是一种瞬态值。在芯片常规的工作中，某一时刻，芯片是某一种固定的SDPD，所以一个芯片的实际工作状态（功耗）是由各种SDPD按照出现的比率描述的一个完备值（各种SDPD出现概率总和是100%）
据上，器件的功耗的相关性可以用如下的表格来归类

功耗分类	设计	lib	对象类别	SDPD比率合并
switching power	电压、信号频率，绕线RC负载	器件负载输入pin的cap	net	NA
leakage power	信号频率	基于SDPD和和input_trans的查找表	cell	state probability
internal power	信号频率	基于SDPD和 input_tran 后者 input_tran和output_cap的查找表	pin	toggle rate

EDA的功耗计算示例

EDA工具提供了相应的信息和抽取方式来拟合library的描述。以常用的DC工具里的report_power命令为例，工具会罗列出下面的功耗信息：
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表头解析：

cell	Cell Internal Power	Driven net Switching power	Tot Dynamic Power (% Cell/Tot)	Cell Leakage Power
器件name	来自于internal power的查找表	基于负载pin的cap，主要被电压（V）和 $T_r$ 所决断所以，工具在此处将driven net 和switching power做了合并。	dynamic power 总和（switching+internal），后面的百分比表述了，switching power占整个dynamic power的比率，即cell的功耗贡献比率	来自于leakage power的查找表

DC也会把器件分类进行功耗报告打印：

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对于器件的分类方法见下表：

通常，report_power默认行为是打印类似上述的芯片功耗的总和结果，这些都是每一个器件单独功耗的合计值，当然，也可以使用一些选项打印出某一个cell或者net或的功耗细节。
但是通常不太会这么做，因为去看每一个cell或者net的功耗意义并不很大，反而是找到芯片里边的最差功耗的cell或者net会比较有趣（设计里的功耗大户）。
譬如关心cell的动态功耗，这时可以使用下列命令来罗列：
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如果用户对功耗最大的cell比较感兴趣，可以使用-verbose的选项
罗列出更多的细节：

类似的也可以针对net类型进行sort、verbose的报告。

cell、net和pin的功耗归一化：

从上文描述中可以看到，net会描述switching power，cell对标的则是internla power和leakage power。但是工具在产生报告的时候，无论是net还是cell都会把三类功耗打印完全，这里是使用output pin对应的net来做的cell、net归一化处理

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对于internal power，其在在library里的描述是pin based的

在report_power命令里边，internal power被整合为cell类型，但是本质上就是所有pin在SDPD下的总和表达。

为了方便表达，工具使用了上述三种对象对功耗进行了分拆，总结如下

功耗类别	目标类别	计算公式	解释
内部功耗	pin	$P_{linternal}=\sum_1^nAPin_{internal}$	基于所有pin上漏电功耗的总和
翻转功耗	net	$P_{switching}=ONet_{switching}$	基于cell的output net 上的反转率和cap进行的核算
漏电功耗	cell	$P_{leakage}=Cell_{leakage}$	基于对cell的自身的漏电的library查看

可以看出，EDA工具为了简化对功耗的核算，使用了归一化的操作，这样可以大大减少报告数量和歧义，这个对library的诉求也是得到了一致

限于篇幅。上文提到的SDPD、toggle rate和state probability等和功耗计算细节相关的属于，放在下一篇文章站看讨论，敬请期待。

本章词汇

词汇	解释
动态功耗	器件输入信号发生变化过程中产生的功耗
漏电功耗	器件在空闲状态是由于漏电流带来的功耗
翻转功耗	器件输入管脚翻转所产生的功耗
内部功耗	器件输入管脚翻转过程中，所导致的PMOS、NMOS瞬时同导通时所产生的功耗，也叫短路功耗（short power）
SDPD	基于状态和路径的分析方法：Status Dependency Path Dependency
toggle rate	反转率：指在单位时间（unit time），信号的翻转次数
state probability	状态概率：单位时间内逻辑1占用（高电平）所占的比率

【敲黑板划重点】

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理解工具对于三类功耗的计算方法：pin、cell和net就可以在查验、优化功耗的地方做到有的放矢，疏而不漏。

参考资料

Rakesh Chadha • J. Bhasker An ASIC Low Power Primer
Michael Keating • David Flynn • Robert Aitken Alan Gibbons • Kaijian Shi Low Power Methodology Manual For System-on-Chip Design
沧海一升 （一）低功耗设计目的与功耗的类型