《炬丰科技-半导体工艺》高温预退火对CZ硅片氧沉淀影响的研究

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：高温预退火对CZ硅片氧沉淀影响的研究
编号：JFHL-21-1045
作者：炬丰科技

引言

电子工业中用于集成电路的典型硅片是由直拉法生长的硅单晶锭切割而成的。这种单晶是从石英坩埚中的熔体中拉出的，该坩埚将氧原子结合到硅晶体中。氧原子占据硅晶格中的间隙位置，并能形成二氧化硅团簇的核。这种硅晶体的热处理引起氧扩散和氧沉淀物的生长。晶体生长过程中每个晶片的热历史负责晶体不同部分中间隙氧和氧化物核的各种分布。本文研究了不同温度工艺后直拉硅单晶中的氧沉淀，研究了不同温度预退火对氧沉淀的影响，其中温度历史没有完全消除，只是达到了不同的抑制阶段。通过红外(IR)吸收光谱测量使用不同温度和时间的没有和具有TR预退火的样品，并将结果与化学蚀刻和透射电子显微镜(TEM)进行比较。本文还讨论了从锭头和锭尾观察到的晶片温度历史的影响。

实验

我们探讨了从两个1.5毫米厚的硅晶片上切下的样品中氧的沉淀过程。一个样本是靠近直径为150毫米的直拉法生长晶锭的起点{S}和另一个靠近终点{E}切片。该晶锭掺硼，电阻率为3-5Ω·cm，晶片表面的晶体取向为（111）。
两个晶片{S，E}被一起分成10个系列的矩形样品(尺寸约为20 mm × 15 mm):五个系列的样品来自锭头{S}，另外五个系列的样品来自锭尾{E}。每个系列进行各种TR退火:TR 1和TR 2–分别在1000℃和1100℃下退火6分钟，TR 3和TR 4–在与TR 1和TR 2相同的温度下退火24分钟，加上一个标为R的系列作为参考，没有TR过程。在下一步中，使用以下三步处理对所有样品进行退火:600℃退火8小时(成核)，800℃退火4小时(均化)和1000℃退火不同时间t(沉淀)。每个系列包含几个具有合适的沉淀时间t范围的样品。选择时间t，使得间隙氧的衰减在温度1000℃下很