《炬丰科技-半导体工艺》硅晶体的氢退火效应

最新推荐文章于 2021-12-14 13:33:56 发布

jfkj2021

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文章标签：氢化退火影响硅晶体硅晶体质量氢退火效应

本文链接：https://blog.csdn.net/jfkj2021/article/details/121772330

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本文探讨了氢化退火在半导体工艺中对硅晶体的影响，尤其是在消除生长缺陷、提高硅晶体质量方面的作用。氢退火能促进Si晶体中氧的扩散，减少表面和亚表面的骨密度，有助于设备制造过程中的缺陷控制。实验表明，氢气氛中的热处理能显著降低表面氧浓度，减少BMD，从而改善硅晶体的电气特性，对于微细化器件的栅极氧化膜耐压提升尤其重要。

摘要由CSDN通过智能技术生成

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：硅晶体的氢退火效应
编号：JFKJ-21-1122
作者：华林科纳

*引言
氢化退火影响与GZ硅晶体质量的提高有关，通过在l200°C退火到CZ硅片，生长缺陷和管堆叠断层氧化)，完全消除了表面和亚表面，骨密度可以在设备制造过程中进行控制，此外对生长的−的缺陷进行了研究。

*实验
使用了石英坩埚，氧溶解在Si熔体中并被吸收到晶体中，并且固溶氧在Si晶体棒的冷却过程中变得过饱和状态。在CS-Si韦伯中，作为杂质的氧过饱和地存在，过饱和的氧在器件制造的热处理工序中析出，带来各种各样的影响O.由这些氧的析出引起的缺陷是BMD.BMD被导入器件活性层的话，成为位错等缺陷发生的原因，诱发结漏和氧化膜耐压不良，对器件生产成品率带来致命的影响。
氢退火的效果是，从器件活性层中除去这些种种缺陷，带来这个效果的主要原因是，使Si韦伯中的氧向外扩散，使表面层的氧浓度在固溶限以下。

图1显示了在相同条件（1200℃，1小时）下进行热处理时，氧的深度方向分布的热处理气氛依赖性。内部的氧浓度相同，但表层的氧浓度依赖于气氛，氢气氛中大幅降低实际测量BMD的深度方向分布，如图2所示。