《炬丰科技-半导体工艺》利用microLED显示技术缓解芯片间通信瓶颈

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：自选择性化学镀
编号：JFKJ-21-1016
作者：炬丰科技

基于氮化镓的微透镜显示器产生的高速光发射器可以以更高的密度传输数据比铜更低的功率，带来厘米级的光学连接。芯片时钟速率几乎没有增加，也有限制。这取决于集成电路封装输入和输出引脚的数量。因此，几乎所有的高性能芯片都使用高速串行器/反串行器，即SerDes–用于芯片外围的输入/输出。它们的作用是与片内时钟速度相比大幅提高比特率，以便所有信息都可以通过有限数量的引脚压缩。这耗费了能源、房地产，并阻塞了数据流——随着未来系统的进步主要通过新的架构实现，这种情况只会变得更糟，新架构将更多芯片互连在一起，而不是提高原始晶体管的性能。

当线路较长时，需要通过其电阻充放电更多的电容。增加密度也是一个问题——使导线变得更细、更紧密会增加电阻和电容，从而降低最大互连长度。串扰、导致波形失真的材料介电常数的非线性，以及导致高频电阻增加的趋肤效应。

通过将芯片封装在线密度高得多的硅插入物上，电数据管道可以连接到非常宽的总线上，并以接近芯片时钟的速度运行。然而，由于上述原因，高密度限制了覆盖范围，芯片通常必须边对边放置。常见的做法是将高带宽内存芯片封装在处理器附近，并通过一条总线进行通信，该总线通常约为1000条通道宽，运行速度仅为1或2千兆位/秒。BoW总线都是宽而慢的，有数百或数千条通道，每条通道的运行速度为1千兆比特/秒至16千兆比特/秒。

使用可见光的一个显著优点是，它允许制造低电容、大面积的互补金属氧化物半导体探测器，这些探测器可以与简单的放大器电路集成，形成快速、极低功率的接收器。由于探测器面积大，对准简单，同时封装成本低。

在芯片之间