在深度反应离子蚀刻工具中调整蚀刻方向性

书籍：《炬丰科技-半导体工艺》
文章：在深度反应离子蚀刻工具中调整蚀刻方向性
编号：JFKJ-21-734
作者：炬丰科技

摘要
硅深反应离子蚀刻是一种由于无法控制到达晶圆表面的能量离子的方向而产生投射的二维形状的过程。由此得到的蚀刻轮廓呈现名义上为晶片表面90°的侧壁。然而，我们已经开发并演示了一种新技术，可以让我们控制沟槽相对于晶片表面的角度。该方案利用埋地电介质层的充电来实现离子转向，从而控制蚀刻的方向。相对于与晶圆表面正交的线，测量的角度变化控制在232°到132°之间。我们报告和描述了这种控制蚀刻角的新技术。

介绍
硅深反应离子蚀刻是一个产生投射的二维形状的过程，因为离子从辉光放电加速穿过暗空间，并正常到达晶片表面。这一过程导致蚀刻轮廓的侧壁名义上是到表面的90°。一些对蚀刻过程的适度裁剪是可能的，并可以产生具有倾斜侧壁的沟槽，.然而，蚀刻器仍然正常地进行到晶圆的表面。
我们开发并演示了一种新技术，允许我们控制沟槽相对于晶片表面的角度。该方案利用埋介电层的充电以实现离子转向。利用蚀刻表面局部电场的变化，可以修改晶片表面的角度沟，我们已经产生了角度变化高达632°的沟槽，从与晶圆表面正交的线上测量。

处理方法
第一个掩模用于在底部晶片上的介电薄膜中形成开口。.本实验选择二氧化硅薄膜的介电层厚度为1m，光刻抗蚀剂层的厚度为5umAz4620。独立地，顶部硅片旋转涂有光刻胶，使用第二掩模形成图案和蚀刻穿透。随后，两个晶片都使用光刻胶可逆粘结或永久粘结，如图所示4b，.底部晶片上的图案介电薄膜，现在被顶部晶片覆盖或埋没，随后被用来实现离子转向。另一种可能性是对介电进行图案，然后在底部晶片和未处理的顶部晶片之间进行永久的硅-氧化键，如图所示4b。在这种方法中&