1.电感选型
饱和电流:电感下降30%对应电流
温升电流:电感产生40℃对应电流
饱和电流>温升电流>输出额定电流*1.3
DCR直流等效电阻
自谐振频率:频率之下,电感效应阻抗与频率正相关,频率之上负相关,电容效应,是开关频率10倍以上
留20%以上余量(如实际电流4A,选5A以上)
感值计算:
E=dNΦ/dt=Ldi/dt
电感两端的电压公式:V=L * di/dt
BUCK:
开:
V电感=Vin-Vout=L * di/dt L*di/dt=Vin-Vout
[(Vin-Vout)/L]*Ton=△I 【 △I充电=[(Vin-Vout)*T*D] / L 】
关:
V电感=-Vout=L * di/dt di/dt=-Vout/L
(-Vout/L)*Toff=△I 【 △I放电=[Vout*T*(1-D)] / L 】
电感值:
Vin-V1-Vout=L*△I/ Ton
Vout+V2=L*△I/ Toff
Ton+Toff=1/ f
V1=V2=0V
D=(Vout+V2)/(Vin-V1-+V2)=Vout/Vin
△I=(Vin-V1-Vout)*(Vout+V2)=[(Vin-Vout)*Vout] / Vin*L*f
L=[(Vin-V1-Vout)*(Vout+V2)] / (Vin-V1+V2)*△I*f =[(Vin-Vout)*Vout] / (Vin*△I*f)
BUCK:
Lmin=2*【Vout*(1-Vout/Vinmax)】/Fsw*Irate
流过的最大电流:Imax=Iout+0.5* △I=Iout+0.25* Iout=1.25Iout
IL(MAX)=ILOAD+△IL/2
△I(电感器的纹波电流)=20%~30%*Iout(最大输出电流)
MP1470:5V,463mA--->Imax=1.25Iout=578.75mA,△I=0.5Iout=231.5mA--->饱和电流=(Imax+△I)/ 0.8=1012.8125mA
MP1471:3.3V,2635mA--->Imax=3293.75mA,△I=1317.5mA--->饱和电流=5764.0625mA
Boost:
Lmin=2【Vin*(1-Vin/Vout)】/Fsw*Irate;20%精度,5%设计裕量,L=(1+20%+5%)*Lmin=1.25*Lmin,选稍大的标称电感
如输入4.2V,开关频率1.2MHZ,输出电流500mA,输出电压5V
L=2.24uH*1.25=2.8uH
比2.8uH稍大标称电感为3.3uH
Imax=Iout+0.5* △I=Iout+0.25* Iout=1.25Iout=1.25*0.5A=0.625A
选电感量3.3uH,饱和电流>0.625A
饱和电流和温升电流中较小值进行设定
2.减小噪声纹波
加大输出电感和电容
二级滤波,再加一级LC滤波器
降低输入前端低频纹波:增加滤波,电容电感滤波电路LC,π型,前端及后端增加稳压器
电源输出之后接LDO滤波(输出电压恒定,不改变原有反馈系统)
二极管后接电感(EMI滤波,抑制高频噪声,针对产生噪声的频率,选择合适的电感)
输出二极管后再接一个π型线路进行滤波,比LC滤波效果好一点,称CLC滤波器
在二极管上并电容C或RC
3.输入电压范围及输出电流
输入12V,输出3.3V和2635mA--->MP1471_4.7-16,500K,2.5A同步,4.7UH
输入12V,输出5V和463mA--->MP1470_4.7-16,500K,2A同步,2.2UH
电流降额80%
4.选型
线性调节:输入直流电压变化引起输出电压变化,LNR=(输出电压变化量 / 输入电压变化量)*100%
负载调节:负载电流变化引起输出电压变化,LDR=(输出电压变化量 / 输出电流变化量)*100%
输入输出电压
输出电流
开关频率
效率
瞬态响应(≤150us,25%负载~满载)
5.LAYOUT
加粗地线宽度或接地铜皮面积,不同层多打地孔
反馈电阻靠近FB,到FB引脚要短
输入端地和GND引脚短而粗
输入端电容和IN引脚短而粗
干线SW,磁性元件,开关管,功率二极管噪声源远离敏感模拟区域(如FB)
电感靠近芯片的SW,输出电容靠近电感放置
6.开关频率影响
增大:
优:体积小,瞬时响应快,纹波小(越容易滤波)
劣:效率低(开关管损耗大),电磁辐射大,高频特性要求高
7.测试
纹波和噪声:
纹波和噪声采用峰-峰值计量(mVP-P)
第一,示波器带宽设置为20MHz,可以有效防止高频噪声
第二,采用平行线测试法,双绞线或靠测法
平行线测试法:
双绞线法:
在Vo与0V之间接上阻性负载(假负载),在双绞线末端接一个10uF电解电容,在测量点连接时,一端接在Vo上,另一端接到地平面端
示波器靠测法:
示波器地线夹会吸收各种高频噪声干扰测量结果,为屏蔽干扰采用靠测法,示波器探头接在每路输出端测试
探头地和信号距离要近,减小环路面积(较远有很多EMI噪声辐射到探头信号回路中,示波器观察的波形包括了其他信号分量,导致错误的测试结果)
8.电感过大过小影响
9.1个周期各元器件电压电流波形
10.输出纹波范围
12V转5V,输出纹波70mv
纹波与噪声:
输出纹波来源:
输入低频纹波
高频纹波
高频功率开关切换电路
功率器材开关过程中发生的超高频谐振噪声
闭环调理操控引起的纹波噪声
噪声:自身产生高频脉冲串,发生在开关导通与截止瞬间产生尖脉冲所造成,噪声频率比开关频率高的多,噪声电压大小与电源拓扑,变压器绕制,寄生参数,测试外部电磁环境,PCB布线有关
噪声来源:
芯片本身输出不恒定,有纹波,只能接受
无法实时响应负载对于电流需求的快速变化,通过感知其输出电压的变化,调整其输出电流,从而把输出电压调整回额定输出值(负载电流变化频率低,很好做出调整,保持输出电压稳定,负载瞬态电流变化频率高,出现跌落,产生噪声)
负载瞬态电流在电源路径阻抗和地路径阻抗上产生的压降,引脚及焊盘有寄生电感,瞬态电流流经产生压降,负载芯片电源引脚处电压会随着瞬态电流变动而波动,是阻抗产生的电压噪声,在电源路径表现为负载芯片电源引脚处的电压轨道塌陷,在地路径表现为负载芯片地引脚处的电位和参考电位不同
MOS导通和截止时候,都会有一个与SWITCH上升下降时间频率相同或奇数倍频的噪声,一般为几十MHz
Hi3516A:
Media(Media电源):1.1V(0.95-1.1),≥2A
DDR(DDR内核电源) :1.1V(1.01-1.1),≥1A
CPU(CPU电源):1.1V(0.99-1.3),≥1A
VDD(内核电压):1.1V(1.01-1.1),≥1A
11.保护
开关型:陶瓷气体放电管,半导体放电管,玻璃放电管
开关型均存在续流问题
钳位型:TVS,压敏电阻,ESD放电二极管
钳位型无续流,通流量较开关型小
压敏电阻:
优:
价格低
通流容量大(通过压敏电阻最大脉冲电流值)
动作响应快
无续流
劣:
极间电容大
寿命老化
防反:
二极管防反
PMOS管防反
整流桥防反
保险丝+稳压二极管防反
静电保护:
雪崩二极管
高压电容
铁氧体磁珠
火花间隙法
LC滤波器
多层板
电路板外网留保护带
PCB抗ESD设计:分层,布局布线,安装
控制方式
反馈控制方式:电压模式,电流模式
电压控制
优点:纯电压反馈电路,控制简单;可缩短ON时间;抗噪好(采样电流噪声)
缺点:相位补偿电路复杂(输出滤波器增加了2个极点,补偿需要在主极点增加一个零点,增益随着输入电压变化,补偿困难),响应慢
电流模式
优点:大幅简化相位补偿电路设计(误差放大器控制了输出电流,而不是输出电压,输出滤波器增加了一个极点,补偿更加容易,可以得到宽范围的高增益);反馈电路稳定性高;高速负载瞬态响应比电压模式快(采样了电感电流,电流上升率决定于Vin-Vo和电感,消除了对输入电压响应的延迟和因输入电压变化引起的增益变化);逐周期电流限流保护,提高过流保护和短路保护
缺点:检测反馈电路电流噪声弱
电感上电压
BUCK同步:Vin-Vo(上通下关)、-Vo(上关下通)
SW节点振铃
上管导通瞬间:体二极管被加上反向电压,产生大反向恢复电流(即SW到GND产生大di/dt),通过寄生电感L2产生高电压幅值(在SW节点),之后L1、L2与体二极管反向恢复时等效电容C产生谐振,引发振铃
LC谐振维度,LC有发生串联谐振,LC谐振的选频特性将信号状态切换时的高次谐波频率分量选出并放大,叠加到基波上进而形成振铃
输出电容
输出纹波=[Vout / (8*f²*L*C)]*(1-D)
总输出纹波=电容ESR形成纹波+电感纹波电流流过电容形成纹波
一个周期内电容充放电纹波:
频段
开关电源EMC:
传导测试:150K~30MHz
辐射测试:30M~300MHz
300MHz之后频段不是电源产生
EMC
输入:
先防护后滤波:防止滤波器件在浪涌、防雷测试中损坏,或导致滤波参数偏离
滤波靠近输入端:太远起不到滤波效果
输出:
共/差模电感、磁珠
共模电感/磁珠:滤波,防止开关电源噪声串到整个单板电源、地上