★DCDC相关

1.电感选型 

饱和电流：电感下降30%对应电流

温升电流：电感产生40℃对应电流

饱和电流>温升电流>输出额定电流*1.3

DCR直流等效电阻

自谐振频率：频率之下，电感效应阻抗与频率正相关，频率之上负相关，电容效应，是开关频率10倍以上

留20%以上余量（如实际电流4A，选5A以上）

感值计算：

E=dNΦ/dt=Ldi/dt

电感两端的电压公式：V=L * di/dt

BUCK：

开：

V电感=Vin-Vout=L * di/dt        L*di/dt=Vin-Vout

[(Vin-Vout)/L]*Ton=△I       【  △I充电=[（Vin-Vout）*T*D] / L  】

关：

V电感=-Vout=L * di/dt        di/dt=-Vout/L

（-Vout/L）*Toff=△I       【  △I放电=[Vout*T*（1-D）] / L  】

电感值：

Vin-V1-Vout=L*△I/ Ton

Vout+V2=L*△I/ Toff

Ton+Toff=1/ f

V1=V2=0V

D=（Vout+V2）/（Vin-V1-+V2）=Vout/Vin

△I=（Vin-V1-Vout）*（Vout+V2）=[（Vin-Vout）*Vout] / Vin*L*f

L=[（Vin-V1-Vout）*（Vout+V2）] / （Vin-V1+V2）*△I*f =[（Vin-Vout）*Vout] / （Vin*△I*f）

BUCK：

Lmin=2*【Vout*(1-Vout/Vinmax)】/Fsw*Irate

流过的最大电流：Imax=Iout+0.5* △I=Iout+0.25* Iout=1.25Iout

IL（MAX）=ILOAD+△IL/2

△I（电感器的纹波电流）=20%～30%*Iout（最大输出电流）

MP1470：5V，463mA--->Imax=1.25Iout=578.75mA，△I=0.5Iout=231.5mA--->饱和电流=（Imax+△I）/ 0.8=1012.8125mA

MP1471：3.3V，2635mA--->Imax=3293.75mA，△I=1317.5mA--->饱和电流=5764.0625mA

Boost：

Lmin=2【Vin*（1-Vin/Vout）】/Fsw*Irate；20%精度，5%设计裕量，L=（1+20%+5%）*Lmin=1.25*Lmin，选稍大的标称电感

如输入4.2V，开关频率1.2MHZ，输出电流500mA，输出电压5V

L=2.24uH*1.25=2.8uH

比2.8uH稍大标称电感为3.3uH

Imax=Iout+0.5* △I=Iout+0.25* Iout=1.25Iout=1.25*0.5A=0.625A

选电感量3.3uH，饱和电流>0.625A

饱和电流和温升电流中较小值进行设定

2.减小噪声纹波

加大输出电感和电容

二级滤波，再加一级LC滤波器

降低输入前端低频纹波：增加滤波，电容电感滤波电路LC，π型，前端及后端增加稳压器

电源输出之后接LDO滤波（输出电压恒定，不改变原有反馈系统）

二极管后接电感（EMI滤波，抑制高频噪声，针对产生噪声的频率，选择合适的电感）

输出二极管后再接一个π型线路进行滤波，比LC滤波效果好一点，称CLC滤波器

在二极管上并电容C或RC

3.输入电压范围及输出电流

输入12V，输出3.3V和2635mA--->MP1471_4.7-16，500K，2.5A同步，4.7UH

输入12V，输出5V和463mA--->MP1470_4.7-16，500K，2A同步，2.2UH

电流降额80%

4.选型

线性调节：输入直流电压变化引起输出电压变化，LNR=（输出电压变化量 / 输入电压变化量）*100%

负载调节：负载电流变化引起输出电压变化，LDR=（输出电压变化量 / 输出电流变化量）*100%

输入输出电压

输出电流

开关频率

效率

瞬态响应（≤150us，25%负载～满载）

5.LAYOUT

加粗地线宽度或接地铜皮面积，不同层多打地孔

反馈电阻靠近FB，到FB引脚要短

输入端地和GND引脚短而粗

输入端电容和IN引脚短而粗

干线SW，磁性元件，开关管，功率二极管噪声源远离敏感模拟区域（如FB）

电感靠近芯片的SW，输出电容靠近电感放置

6.开关频率影响

增大：

优：体积小，瞬时响应快，纹波小（越容易滤波）

劣：效率低（开关管损耗大），电磁辐射大，高频特性要求高

7.测试

纹波和噪声：

纹波和噪声采用峰-峰值计量（mVP-P）

第一，示波器带宽设置为20MHz，可以有效防止高频噪声

第二，采用平行线测试法，双绞线或靠测法

 平行线测试法：

 双绞线法：

在Vo与0V之间接上阻性负载（假负载），在双绞线末端接一个10uF电解电容，在测量点连接时，一端接在Vo上，另一端接到地平面端

示波器靠测法：

示波器地线夹会吸收各种高频噪声干扰测量结果，为屏蔽干扰采用靠测法，示波器探头接在每路输出端测试

探头地和信号距离要近，减小环路面积（较远有很多EMI噪声辐射到探头信号回路中，示波器观察的波形包括了其他信号分量，导致错误的测试结果）

8.电感过大过小影响

 

9.1个周期各元器件电压电流波形

10.输出纹波范围

12V转5V，输出纹波70mv

纹波与噪声：

输出纹波来源：

输入低频纹波

高频纹波

高频功率开关切换电路

功率器材开关过程中发生的超高频谐振噪声

闭环调理操控引起的纹波噪声

噪声：自身产生高频脉冲串，发生在开关导通与截止瞬间产生尖脉冲所造成，噪声频率比开关频率高的多，噪声电压大小与电源拓扑，变压器绕制，寄生参数，测试外部电磁环境，PCB布线有关

噪声来源：

芯片本身输出不恒定，有纹波，只能接受

无法实时响应负载对于电流需求的快速变化，通过感知其输出电压的变化，调整其输出电流，从而把输出电压调整回额定输出值（负载电流变化频率低，很好做出调整，保持输出电压稳定，负载瞬态电流变化频率高，出现跌落，产生噪声）

负载瞬态电流在电源路径阻抗和地路径阻抗上产生的压降，引脚及焊盘有寄生电感，瞬态电流流经产生压降，负载芯片电源引脚处电压会随着瞬态电流变动而波动，是阻抗产生的电压噪声，在电源路径表现为负载芯片电源引脚处的电压轨道塌陷，在地路径表现为负载芯片地引脚处的电位和参考电位不同

MOS导通和截止时候，都会有一个与SWITCH上升下降时间频率相同或奇数倍频的噪声，一般为几十MHz

Hi3516A：

Media（Media电源）：1.1V（0.95-1.1），≥2A

DDR（DDR内核电源） ：1.1V（1.01-1.1），≥1A

CPU（CPU电源）：1.1V（0.99-1.3），≥1A

VDD（内核电压）：1.1V（1.01-1.1），≥1A

11.保护

开关型：陶瓷气体放电管，半导体放电管，玻璃放电管

开关型均存在续流问题

钳位型：TVS，压敏电阻，ESD放电二极管

钳位型无续流，通流量较开关型小

压敏电阻：

优：

价格低

通流容量大（通过压敏电阻最大脉冲电流值）

动作响应快

无续流

劣：

极间电容大

寿命老化

防反：

二极管防反

 PMOS管防反

 整流桥防反

保险丝+稳压二极管防反

静电保护：

雪崩二极管

高压电容

铁氧体磁珠

火花间隙法

LC滤波器

多层板

电路板外网留保护带

PCB抗ESD设计：分层，布局布线，安装

控制方式

反馈控制方式：电压模式，电流模式

电压控制

优点：纯电压反馈电路，控制简单；可缩短ON时间；抗噪好（采样电流噪声）

缺点：相位补偿电路复杂（输出滤波器增加了2个极点，补偿需要在主极点增加一个零点，增益随着输入电压变化，补偿困难），响应慢

电流模式

优点：大幅简化相位补偿电路设计（误差放大器控制了输出电流，而不是输出电压，输出滤波器增加了一个极点，补偿更加容易，可以得到宽范围的高增益）；反馈电路稳定性高；高速负载瞬态响应比电压模式快（采样了电感电流，电流上升率决定于Vin-Vo和电感，消除了对输入电压响应的延迟和因输入电压变化引起的增益变化）；逐周期电流限流保护，提高过流保护和短路保护

缺点：检测反馈电路电流噪声弱

电感上电压

       

BUCK同步：Vin-Vo（上通下关）、-Vo（上关下通）

SW节点振铃

上管导通瞬间：体二极管被加上反向电压，产生大反向恢复电流（即SW到GND产生大di/dt），通过寄生电感L2产生高电压幅值（在SW节点），之后L1、L2与体二极管反向恢复时等效电容C产生谐振，引发振铃

LC谐振维度，LC有发生串联谐振，LC谐振的选频特性将信号状态切换时的高次谐波频率分量选出并放大，叠加到基波上进而形成振铃

输出电容

 输出纹波=[Vout / (8*f²*L*C)]*(1-D)

总输出纹波=电容ESR形成纹波+电感纹波电流流过电容形成纹波

一个周期内电容充放电纹波：

频段

开关电源EMC：

传导测试：150K～30MHz

辐射测试：30M～300MHz

300MHz之后频段不是电源产生

EMC

输入：

先防护后滤波：防止滤波器件在浪涌、防雷测试中损坏，或导致滤波参数偏离

滤波靠近输入端：太远起不到滤波效果

输出：

共/差模电感、磁珠

共模电感/磁珠：滤波，防止开关电源噪声串到整个单板电源、地上