三极管与mos管的区分与应用

三极管与mos管的区分与应用

这部分知识每次用都要查,隔一段时间就忘记了.忍无可忍,再此写下来,作为之后然后查找的笔记
这里先推荐几篇我查阅到的笔记,
<<三极管和MOS管驱动电路的正确用法>> https://blog.csdn.net/qq_21794157/article/details/122736035
<<PNP与NPN三极管开关特性>> https://zhuanlan.zhihu.com/p/143366794

插曲,不知道为啥Multisim老是仿真失败,试了好久没成功,最后重开新建文件才顺利.所以仿真也不是很好使.

零、口诀

1. 三极管和沟道,符号情况相反:
   -三极管,P指N;电流顺着箭头方向;
   -沟道,N指P;电流逆着箭头方向;
2. 三极管和沟道,对外特性类相似;
   -N型,限流与下拉电阻,控制对电源地的压差;
   -P型,限流与上拉电阻,控制对电源正的压差;

一、符号和标识

1.NPN 和 N-MOS

• 三极管NPN,箭头朝外,P指N;电流顺箭头方向;
• 实物封装的集电极collecttor(负载)是单独一侧,朝上时,左边是基极base(控制),右边是发射极emitter(电源地);
• N沟道MOS管,箭头朝内,(N指P ),电流逆箭头方向;
• 实物封装的漏极drain(负载)是单独一侧,朝上时,左边是栅极gate(控制),右边是源极source(电源地);

2.PNP 和 P-MOS

2024年8月14日发现配图是镜像过的,导致我那么久一直记错了控制引脚.的位置.已全部更正

• 三极管PNP,箭头朝内,P指N;电流顺箭头方向;
• 实物封装的集电极collecttor(负载)是单独一侧,朝下时,右边是基极base(控制),左边是发射极emitter(电源正);
• P沟道MOS管,箭头朝外,(N指P ),电流逆箭头方向;
• 实物封装的漏极drain(负载)是单独一侧,朝下时,右边是栅极gate(控制),左边是源极source(电源正);

把图倒过来,方便理解一点.
这样电流就也是从上到下,从左到右,对应着记忆;

二、应用仿真

1.NPN 和 N-MOS

• 三极管,电流顺着箭头方向, mos管,电流逆着箭头方向;
• 二者都需要输入限流电阻和下拉电阻.特别是三极管输入要加限流电阻,不然驱动电流会很大,注意到mos管的驱动电流更小,负载电流更大.如果作为开关控制负载电流,应该优先选择mos管;
• 激活导通的条件是控制端对电源地的压差;

2.PNP 和 P-MOS

• N型和P型类似要接限流电阻,不同就是接上拉电阻,激活导通条件是控制端对电源正的压差;
• 如果希望限制负载的电流,也可以在负载回路中添加限流电阻.

三、说明

• 如果负载的位置不按照推荐要求来,可能也能呈现需要的导通现象,但那样的话控制端电流可能会是巨大的,最终导致烧坏控制端电路.使用三极管mos管就是为了保护控制端,避免电流过大.

2024年8月14日: 新加口诀:

1. N-左下控制,右下电源地, 有压差时右下与中上导通, 负载在中上;
2. P-左下控制,右下电源正, 有压差时右下与中上导通, 负载在中上;