【模基和模集】基本放大电路比较

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分类专栏：拉扎维文章标签：笔记

于 2023-04-25 20:14:06 首次发布

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一模基

一，共射

1，基本共射放大电路

（1）直接耦合：

$A_{u}=-\frac{\beta (R_{L}//R_{c})}{r_{be}+R_{b}}$ 与Rb和Rc有关。

（2）阻容耦合：

$A_{u}=-\frac{\beta (R_{L}//R_{c})}{r_{be}}$ 与Rb无关，因为交流信号未通过Rb 。正好体现Rb的作用。

2，带射级负反馈的Q点稳定放大电路

（1）无Ce ：

$A_{u}=-\frac{\beta (R_{L}//R_{c})}{r_{be}+(1+\beta )R_{e}}$ 由于Re的存在，增益大大下降。

（2）有Ce：

$A_{u}=-\frac{\beta (R_{L}//R_{c})}{r_{be}}$ 消除了Re对增益下降的影响。

阻容耦合不能集成。

二，共集

1， $A_{u}=\frac{(1+\beta )R_{e}}{R_{b}+r_{be}+(1+\beta )R_{e}}$ 分子是分母的一部分，增益小于1

三，共基

1， $A_{u}=\frac{\beta R_{c}}{r_{be}+(1+\beta )R_{e}}$ Re应尽量小，否则电路将不具电压放大能力；

Re很小时，电压增益与共射类似，类似于模集中的共栅。

二，模集

一，共源————对应共射

1，

$A_{u}=G_{m}(R_{d}//r_{o})$ ,Gm对应共射中的 $\frac{\beta }{r_{be}+R_{b}}$ ,即电压对电流的转化率，

Rd 可以是电阻，二极管，电流源，Gm在无源极负反馈时为gm，在有源极负反馈时为 $\frac{g_{m}}{1+R_{s}(g_{m}+g_{mb}+\frac{1}{r_{o}})}$

Rd 越大，Rd上电压变化越快，增益越大。

二，共漏————对应共集

$A_{u}=\frac{g_{m}R_{s}}{1+(g_{m}+g_{mb})R_{s}}$ ,(忽略了沟道长度调制效应)

三，共栅————对应共基

$A_{u}=\frac{g_{m}+g_{mb}+\frac{1}{r_{o}}}{1+R_{s}(g_{m}+g_{mb}+\frac{1}{r_{o}})}$

Rs若大，则电路放大能力大大降低，与共基中的Re类似，Rs很小时，与共源放大倍数类似。

四，共源共栅极————对应共射共基（模电课本 $P_{105}$ ）

可以看出，共射共基的增益并没有向共源共栅那样有很大的提升，原因在于共源共栅的前提是Rd无穷大，再看共射共基，当Rc//RL无穷大是，其增益也为无穷大，这时发现这个无穷大比共源共栅中两管子的本征增益的积更大，原因何在？ mos管从漏极看进去电阻为ro，二三极管从集电极看进去的电阻为无穷大，所以会出现这样的增益计算结果。

三，模集中各电路的比较

（1）电阻做负载的共源级

（2）在许多CMOS工艺条件下，制作阻止精确控制或者具有合理物理尺寸的电阻是很困难的，因此，最好用mos管来代替负载电阻，故出现二极管连接型做负载的共源级，然而二极管做负载不能获得大增益，也可以说获得大增益是两个管子图形不均衡（太长或太宽，从而导致大的输入或者负载电容），还会导致允许输入电压的摆幅减小。故采用在负载二极管两端并联以后电流源（电阻无穷大，不改变负载电阻），分流二极管上的电流。

（3）要增大增益，就有增大Rd，用电阻或二极管来增大增益的话，就会消耗直流压降，限制了输出电压的摆幅，故而使用电流源这个不服从欧姆定律的器件来代替负载，正常工作时，Vout的最大值略低于Vdd，增大电流源的W，就可以使得其在更小的Vod下工作，故此时Vout最大值可以略低于Vdd几百毫伏。 $\lambda$ 正比于1/L，同时增大W和L可以得到更小的 $\lambda$ 。代价是电流源在输出结点引入了大的结电容。