先进工艺下，SEB（Statistical EM Budgeting ）分析详解

原理：

SHE(self-heating effects)

1.由于3D鳍片结构FinFET较窄且基板中的导热系数较低，FinFET器件上局部温度高于平面MOS器件，这将显著降低互连线的寿命。

2.BEOL（线/通孔）焦耳热，FEOL（器件）耦合热

3.上图可以看出，主要考虑三种：线与线的耦合热；器件与线的耦合；线上的焦耳热

SEB Flow：

FIT：自热温度对金属寿命的影响。工具根据metal属性和电流计算的失效率，我们得到的结果是芯片中所有的metal加起来的total fit（一般要求小于1，大于1需要定位问题） 

SEB Result