CMOS反相器

CMOS反相器

电路结构 & 逻辑符号

$T_P$ 是 P 沟道增强型MOS 管，假定其开启电压为 $U_{TP}$ = -2V , $T_N$ 是 N 沟道增强型MOS 管，假定其开启电压 $U_{TN}$= 2V , 两者按照互补对称形式连接起来便构成了CMOS反相器。它们的栅极 $G_1$ 、$G_2$ 连接起来做为信号输入端，漏极 $D_1$、$D_2$ 连接起来做为信号输出端， $T_N$ 的源极 $S_1$ 接地$V_{SS}$ ，$T_P$ 的源极 $S_2$ 接电源 $V_{DD}$

$T_P$ 、$T_N$特性对称 ，$U_{TN}=|U_{TP}|$ ，如果 $U_{TN}$ = 2V ，那么 $U_{TP}$ = - 2V , 一般情况下都要求 $V_{DD}$ > $U_{TN}+|U_{TP}|$

逻辑符号：

工作原理

1. $u_A$ = 0v 即输入为低电平时
   $|U_{GSP}|=|U_{GP}-U_{SP}|=|0-V_{DD}|=V_{DD}>|U_{TP}|$ ,$T_P$ 导通
   $U_{GSN}=0v<U_{TN}$ ，$T_N$ 截止
   等效电路为（b）图
   $u_Y=V_{DD}=10v$ ，输出为高电平
2. $u_A$ = $V_{DD}$ = 10v 即输入为高电平时
   $|U_{GSP}|=|U_{GP}-U_{SP}|=|V_{DD}-V_{DD}|=0v<|U_{TP}|$ , $T_P$ 截止
   $U_{GSN}=U_I=V_{DD}>U_{TN}$ ，$T_N$ 导通
   等效电路为（c）图
   $u_Y=0v$ ，输出为低电平

总结

• $u_A$ 为低电平时 $u_Y$ 为高电平，$u_A$ 为高电平时 $u_Y$ 为低电平，实现了非逻辑运算，是非门 —— 反相器
• 无论输入高、低电平，$T_P$ 、$T_N$ 总有一管截止，使得静态漏极电流 $i_D\approx 0$ ，因此CMOS反相器静态功耗极小