在 Phillip E. Allen所著的 CMOS Analog Circuit Design 中,反相器(Inverter)涵盖了一系列电路,如下图。实际上任何放大倍数为负的放大器均可认为是反相器
早期的工艺一般仅支持NMOS,一样可以实现逻辑功能。现在采用NMOS+PMOS主要是因为这种结构具有更高的放大倍数,同时MOSFET所占的面积往往远小于电阻的面积,leakage也更小
反相器大概有这么几个重要的指标需要留意:静态电流:电流直接决定功耗,决定焦耳热,在大规模下对性能的影响非常大。单用n或者pMOS,在其中一个逻辑态电流一直是通的。而CMOS只有在过渡时短暂有较大的电流,在稳态没有显著电流。VTC性能:包括放大倍数、阈值电压、抗噪音能力、过渡区域坡度等等。在处理高频信号时这些指标非常重要。如果反相器不能“干净利落”地实现过渡,那么在处理高频信号会导致失真。元件大小:在集成电路里,电阻相比之下更占空间,能不用就不用。在考虑这些额外指标之后,你会发现CMOS在这些方面都有无与伦比的优越性。因此在实际应用中,CMOS反相器是绝对的主流。
只用一个mos的话,肯定需要上拉电阻。在有上拉电阻的时候,这个反相器静态电流比pmos+nmos的结构要大不少。静态功耗就大了。CMOS工艺就是指把NMOS和PMOS做在一个基板上,成对出现。用pmos+nmos做反相器很自然。你上拉需要的电阻怎么来,只能用polysi实现。
输入低电平,管子截止,输出高电平,这要求上拉电阻阻值尽可能小输入高电平,管子导通,输出电平下拉到地,这要求上拉电阻尽可能大单个mos管无法满足两个要求,所以一定不能同时输出高质量的低电平和高电平。与此同时,输入高电平的时候,管子的功耗非常大,这是不符合现代电路的要求的。因此,人们发明了CMOS,规定PMOS上拉,NMOS下拉,反相器静态工作时总能输出高质量的高低电平且不依赖于上拉/下拉电阻,并且获得了很低的静态功耗。
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