【氮化镓】高温GaN HEMTs大信号模型——ASM-HEMT

这篇文章的标题是《An ASM-HEMT for Large-Signal Modeling of GaN HEMTs in High-Temperature Applications》，由Nicholas C. Miller等人撰写，发表于2023年9月29日。文章的主要内容是关于一种适用于高温应用的GaN HEMTs（高电子迁移率晶体管）的大信号模型——ASM-HEMT。以下是对文章的详细分析：

I. 引言 (Introduction)

• 目的和重要性：文章强调了在高温电子设备设计中，对GaN HEMTs进行准确建模的重要性。这些设备在极端环境下的射频功率放大器和低噪声放大器集成电路中具有潜在应用。
• 背景：介绍了GaN HEMTs在高温环境下的应用背景，如超音速飞行器和深油钻探等。
• 文献回顾：概述了现有文献中关于GaN HEMTs在高温下特性的研究，包括DC和大信号响应的测量，以及小信号模型的研究。
• 研究空白：指出了现有模型在高温下的局限性，以及本研究旨