【氮化镓】陷阱对GaN器件PAE和线性度影响的建模

总结：

文章的标题是《Investigation of Traps Impact on PAE and Linearity of AlGaN/GaN HEMTs Relying on a Combined TCAD–Compact Model Approach》，由 Petros Beleniotis 等人撰写，发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上。

提出了一种结合 TCAD 物理模型和紧凑模型的新方法，用于分析和预测 GaN HEMTs 的射频性能，特别是考虑到陷阱效应对功率附加效率和线性度的影响。通过 TCAD 校准的紧凑模型能够准确地模拟射频大信号性能，并与实验数据吻合良好。此外，该方法还提供了一种将 TCAD 与射频大信号模拟直接联系起来的新途径，有助于理解陷阱密度对 HEMT 性能的具体影响，从而为 GaN HEMTs 的设计和优化提供了有力的工具。。

I. 引言

文章强调了对 GaN HEMTs 微波功率性能进行基于物理的分析的重要性，并指出了 TCAD 软件在预测和分析 GaN HEMTs 的射频性能方面存在的一个关键差距。尽管商业 TCAD 软件可以预测 GaN HEMTs 的直流、小信号射频和脉冲测量，但缺乏包含陷阱的谐波平衡（HB）限制了对大信号射频性能的预测。文章提到了之前的研究工作，这些工作尝试将陷阱效应纳入 HB 模拟中，以提高预测的准确性。

II. 设备和 TCAD 分析

作者通过模拟一个由 Ferdinand-Braun-Institut 制造的 AlGaN/GaN HEMT（具有 63 GHz 的 fT）来展示他们的方法。这个设备有 12 个栅极指，每个指的长度为 150 nm，宽度为 50 µm。半导体层结构包括一个 Al0.28Ga0.72N 势垒，顶部有一个 GaN 帽层，一个 GaN 通道层，以及一个在半绝缘 4H-SiC 衬底上生长的 GaN:Fe 缓冲层。通过 TCAD 模拟，考虑了位于缓冲区和设备表面的两种类型的陷阱。文章详细描述了这些陷阱的特性，包括它们的能级、截面和发射时间常数。

III. 紧凑的陷阱模型

文章介绍了一个扩展的紧凑模型，该模型通过 TCAD 校准，并用于大信号射频领域。这个紧凑模型被称为 ASMHEMT，并加入了与 TCAD 模拟结果相匹配的陷阱描述。模型参数完全基于 TCAD 模拟的脉冲 I/V 曲线和 S 参数进行提取。文章展示了一个电路图，说明了升级后的陷阱模型，其中包括两个 RC 子电路，分别对应于缓冲区和表面陷阱的不同发射时间常数。

IV. 射频大信号模拟

文章使用 Keysight PathWave ADS 进行了大信号 HB 模拟，以验证完全基于 TCAD 数据确定的 ASM-HEMT 模型，并将其与射频大信号测量进行了比较。模拟设置模拟了 20 GHz 负载-拉测量环境，并选择了基本负载阻抗以提供最大输出功率。文章展示了测量和模拟结果的比较，包括 IDS、增益、Pout 和 PAE，证明了增强的 ASM-HEMT 模型在全输入功率范围内与测量结果的一致性。

V. 结论

文章提出了一种新的建模方法，用于研究物理效应对微波 GaN HEMTs 功率性能的影响。该方法从 TCAD 校准开始，通过测量、脉冲 I-V 和小信号模拟对设备进行表征。TCAD 模拟数据用于提取紧凑模型的参数，该模型用于射频大信号 HB 模拟。通过比较射频功率扫描测量来验证。文章的重点在于在基于物理的 ASM-HEMT 模型中准确实现陷阱效应。TCAD 分析表明，体陷阱和表面陷阱显著影响 HEMT 性能。通过将 ASM-HEMT 与 TCAD 参数（如 ns0accd 和 nsD）联系起来，即使在陷阱密度变化的情况下，也不需要回到 TCAD。这种方法允许在紧凑模型内研究诸如射频饱和输出功率依赖于表面陷阱密度等因素。

图 1 展示了在不同 VDSQ 值下，包含缓冲区和表面陷阱以及仅包含缓冲区陷阱的 TCAD 模拟与测量的脉冲输出特性的比较。

图 2 展示了在不同偏置条件下，包含表面和缓冲区陷阱以及仅包含缓冲区陷阱的 TCAD 提取的电子密度沿通道的分布。

图 3 展示了 TCAD 与测量得到的 S 参数的比较。

图 4 展示了升级后的陷阱模型的电路图。

图 5 展示了通过拟合 TCAD 提供的脉冲 I-V 曲线提取的模型参数 voff 和 ns0accd 与 VtrBuf 和 VtrSurf 的关系。

图 6 和图 7 分别展示了 TCAD 模拟和 ASM-HEMT 模拟的脉冲输出特性和传输特性。

图 8 展示了在 20 GHz 时，模型和测量得到的 IDS、增益、Pout 和 PAE 随输入功率变化的情况。

图 9 展示了不同模型和测量得到的负载-拉轮廓图。

图 10 展示了 TCAD 导出的有效漏极接入区域 2DEG 浓度 nsD 与表面陷阱密度 NT 的关系，以及与 ASM-HEMT 值 ns0accd 的比较。

图 11 展示了不同 trns0accd 缩放场景下 ns0accd 与 VtrSurf 的关系。

图 12 展示了 PAEMAX 和 OP1 dB 与 ns0accd 的关系，以及与 NT 的计算关系。