1. 基础知识
1.1 简介
有结型场效应管(JFET),和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)
以N沟道JFET为例:它在一块N型半导体材料两边高浓度扩散制造了两个重参杂P+区,形成两个PN结,两个P+区引出栅极G,两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道,在N型半导体的两端分别引出源极S和漏极D.
增强型NMOS管为例:它是利用半导体表面的电场效应进行工作的,由于栅极处于绝缘状态,因此也称绝缘栅场效应管,以P型硅片作为衬底,其上扩散两个重参杂的N+区,分别作为源区和漏区,在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层SiO2,并上面覆铝引出栅极G
1.2 符号表示
1.3 特性曲线
它与三极管特性曲线的区别是,MOS管的参变量是Ugs, 而三极管的参变量是Ib
可变电阻区:当Uds很小时,只要Ugs确定,那么电阻就确定了,当作开关管,因为此时的等效电阻很小。
恒流区:也称为放大区,电流与Vgs相关。
2. 逻辑门电路
2.1 MOS管的开关特性
- NMOS的栅极输入为高电平时,工作在可变电阻区。由于Vgs足够大,ds之间的导通电阻很小(25-200欧姆),使得Rd远大于Ron,相当于开关闭合
- NMOS的输入为低电平是,工作在截至状态,开关断开
2.2 拉点流和灌电流
灌电流:指端口输出低电平时,电流从外部电源流向芯片,灌电流越大,输出的低电平就越高。
拉电流:指端口输出高电平时,电流从芯片流向负载,拉电流越大,输出的高电平就越低。
由于高电平输入电流很小,在微安级,一般可以不必考虑,低电平电流较大,在毫安级。因此如下图左边所示通过IO输出低电平,再接反相器输出高电平,驱动LED是不能满足要求的,因为反相器输出高电平时的拉电流在微安级,不能驱动LED(5-10mA)灯
2.3 传输延迟
输入从高电平到低电平,输出从低电平到高电平的时间, tpLH
输入从低电平到高电平,输出从高电平到低电平的时间, tpHL
2.4 CMOS反相器
其电流和电压特性
当输入在某一值时,会使得两管同时导通,造成较大的漏电流
2.5 漏极开路
CMOS反相器常常用作电路的输出缓冲器。如将两个CMOS反相器输出端并联,在逻辑上可以实现与逻辑功能,但实际电路上不行,因为两个CMOS并联,当一个输出高电平,一个输出低电平时,会形成很大的电流,导致电路损坏,因此为了避免这种情况,产生了OD门
OD门:使用时需要接上拉电阻Rp,Rp起着限流作用
Rp如果太大,由于负载电容的存在会导致电路的工作速度变慢
Rp太小,当多个OD门线与在一起时,如果只有一个导通,负载电流会全部流入导通的OD门,因此也不能太小