IC基础知识4-MOS管

1. 基础知识

1.1 简介

有结型场效应管(JFET)，和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)
以N沟道JFET为例：它在一块N型半导体材料两边高浓度扩散制造了两个重参杂P+区，形成两个PN结，两个P+区引出栅极G，两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道，在N型半导体的两端分别引出源极S和漏极D.

增强型NMOS管为例：它是利用半导体表面的电场效应进行工作的，由于栅极处于绝缘状态，因此也称绝缘栅场效应管，以P型硅片作为衬底，其上扩散两个重参杂的N+区，分别作为源区和漏区，在源区和漏区之间的衬底表面覆盖一层很薄的绝缘层SiO2,并上面覆铝引出栅极G

1.2 符号表示

1.3 特性曲线

它与三极管特性曲线的区别是，MOS管的参变量是Ugs, 而三极管的参变量是Ib
可变电阻区：当Uds很小时，只要Ugs确定，那么电阻就确定了，当作开关管，因为此时的等效电阻很小。
恒流区：也称为放大区，电流与Vgs相关。

2. 逻辑门电路

2.1 MOS管的开关特性

1. NMOS的栅极输入为高电平时，工作在可变电阻区。由于Vgs足够大，ds之间的导通电阻很小(25-200欧姆),使得Rd远大于Ron,相当于开关闭合
   
2. NMOS的输入为低电平是，工作在截至状态，开关断开

2.2 拉点流和灌电流

灌电流：指端口输出低电平时，电流从外部电源流向芯片，灌电流越大，输出的低电平就越高。
拉电流：指端口输出高电平时，电流从芯片流向负载，拉电流越大，输出的高电平就越低。
由于高电平输入电流很小，在微安级，一般可以不必考虑，低电平电流较大，在毫安级。因此如下图左边所示通过IO输出低电平，再接反相器输出高电平，驱动LED是不能满足要求的，因为反相器输出高电平时的拉电流在微安级，不能驱动LED(5-10mA)灯

2.3 传输延迟

输入从高电平到低电平，输出从低电平到高电平的时间， tpLH
输入从低电平到高电平，输出从高电平到低电平的时间， tpHL

2.4 CMOS反相器

其电流和电压特性

当输入在某一值时，会使得两管同时导通，造成较大的漏电流

2.5 漏极开路

CMOS反相器常常用作电路的输出缓冲器。如将两个CMOS反相器输出端并联，在逻辑上可以实现与逻辑功能，但实际电路上不行，因为两个CMOS并联，当一个输出高电平，一个输出低电平时，会形成很大的电流，导致电路损坏，因此为了避免这种情况，产生了OD门

OD门：使用时需要接上拉电阻Rp,Rp起着限流作用

Rp如果太大，由于负载电容的存在会导致电路的工作速度变慢
Rp太小，当多个OD门线与在一起时，如果只有一个导通，负载电流会全部流入导通的OD门，因此也不能太小