IC知识补充——MOS器件

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分类专栏： 转载&学习 文章标签： IC
于 2020-12-22 11:34:01 首次发布
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文章目录MOS器件MOS管和三极管对比MOS分类MOS管输出特性曲线和转移特性曲线MOS器件MOS管和三极管对比三极管是利用Ib的电流去控制电流Ic的，所以说三极管是电流控制电流的器件。而MOS管是利用VGS的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。MOS分类N沟：沟道载流子类型为电子；P沟：沟道载流子类型为空穴；增强型：氧化层下面的衬底在零偏压时不反型；耗尽型：栅压为零时氧化层下面已经存在沟道；MOS管输出特性曲线和转移特性曲线以N沟增强型MOSFET为例
摘要由CSDN通过智能技术生成

文章目录

MOS器件
MOS管和三极管对比

三极管是利用Ib的电流去控制电流Ic的，所以说三极管是电流控制电流的器件。

而MOS管是利用VGS的电压去控制电流Id的，所以说MOS管是电压控制电流的器件。
在这里插入图片描述

MOS分类

N沟：沟道载流子类型为电子；

P沟：沟道载流子类型为空穴；

增强型：氧化层下面的衬底在零偏压时不反型；

耗尽型：栅压为零时氧化层下面已经存在沟道；
在这里插入图片描述

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专栏目录
电子元器件篇—MOS管
weixin_42609431的博客
04-25 7679
一、MOS管的定义 全名MOSFET ，mos管是金属氧化物半导体场效应晶体管（FET），属于电压控制性器件，常用于开关电路。 二、MOS管的分类和记忆方法 增强型和耗尽型：耗尽型一般很少见到，我们说的更多的是增强型的。 MOS又可分为N管和P管。有很多人不好记忆N管和P管。我们用一种简单的方法记忆和使用。如下图以NPN的管子为例，两边是N，中间是P。正常状态下，P将N隔开了，当G极给一个P，P与P相互排斥，这样中间的P被推走了，两边的N就连接了，MOS管就导通了，这种通过N连接导通的就是N管，反之亦然。
MOS器件公示总结
maxwell2ic的博客
11-07 1525
mos管平方率公式汇总
mos器件工艺以及原理
u012027530的专栏
10-07 1481
以前看过一篇文章，说硅是地球上最重要的元素。因为硅是现代社会两种比较重要的设施或者设备的基础。高楼大厦所基于的钢筋混凝土其主要成分是硅酸盐（correct me if  u know it better），此为其一；还有就是无所无在的电子设备，也是由硅构筑起来的。这篇文章就是要从第二个方面来介绍硅元素。
MOS器件的物理基础
03-22
MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础 MOS器件物理基础
降压恒流芯片 内置MOS大功率共阳极LED恒流驱动IC
swzbl12345的博客
11-25 1019
恒流IC,电源IC,电子IC,驱动IC，MOS管和降压IC,升压IC产品
Visio电子元件器件模具——集成电路设计（MOS管、电阻、电容、逻辑门、地等）
08-08
Visio电子元件器件模具是集成电路设计中不可或缺的工具，它为设计师提供了丰富的图形元素，用于绘制电路图。在本资源中，我们找到了五个模具，包括"MOS管"、"电阻"、"电容"、"逻辑门"以及"地"等关键元件，这些都是...
模拟CMOS集成电路设计-毕查德.拉扎维-——复旦大学课件.pdf
11-04
* MOS和BIPOLAR器件性能的提高 * 工艺进化对模拟电路的影响 * 模拟信号处理技术的发展 六、模拟集成电路设计的设计方法 模拟集成电路设计的设计方法包括： * 直观设计 * 仿真和验证 * 鲁棒设计 * trade-off 和...
从安全工作区探讨IGBT的失效机理
10-24
在这个区域内，器件能够承受一定的直流电流Ic和集电极-发射极导通电压Vce(on)。图1描绘了FBSOA的边界，AB段表示温度限制的最大直流电流，BC段表示等功耗线，CD段则表示二次击穿的边界。随着脉冲宽度减小，SOA可以...
通俗易懂讲解MOS管.docx
11-19
1. MOS管是电压控制器件，由VGS控制ID，而晶体三极管是电流控制器件，由IB控制IC。 2. MOS管的栅极与其它电极绝缘，输入电阻远高于三极管，减少信号损失。 3. MOS管仅由多数载流子参与导电，温度稳定性更好，不受...
变频器的基础知识.doc
08-29
SCR（晶闸管）、GTO（门极可关断晶闸管）、BJT（双极型功率晶体管）、MOSFET（金属氧化物场效应管）、SIT（静电感应晶体管）、SITH（静电感应晶闸管）、MGT（MOS 控制晶体管）、MCT（MOS 控制晶闇管）、IGBT（绝缘栅...
IC基础知识4-MOS管
mu_guang_的博客
04-02 1897
1. 基础知识 1.1 简介 有结型场效应管(JFET)，和金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET) 以N沟道JFET为例：它在一块N型半导体材料两边高浓度扩散制造了两个重参杂P+区，形成两个PN结，两个P+区引出栅极G，两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道，在N型半导体的两端分别引出源极S和漏极D. 增强型NMOS管为例：它是利用半导体表面的电场效应进行工作的，由于栅极处于绝缘状态，因此也称绝缘栅场效应管，以P型硅片作为衬底，其上扩散两个重参杂的N+区，分别作为源区和漏区，在源区和漏区之间的衬底表
MOS基础知识
野生猿-群号1025127672
10-20 1580
因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。P沟道增强型MOS管因在N型衬底中生成P型反型层而得名，其通过光刻、扩散的方法或其他手段，在N型衬底（基片）上制作出两个掺杂的P区，分别引出电极（源极S和漏极D），同时在漏极与源极之间的SiO2绝缘层上制作金属栅极G。在正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必须与源极相连，而漏极对源极的电压VDS应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面附近形成导电沟道，栅极对源极的电压也应为负。
【spice】mos器件的特征曲线Ltspice仿真实验【开始学Ltspice 01】
weixin_52310423的博客
12-31 4639
给刚开始接触Ltspice的自己一个MOS管仿真的例子，记录spice软件学习过程。
MOS管泄漏电流简要分析
weixin_39926194的博客
05-13 7113
亚阈值泄漏电流是指沟道处于弱反型状态下的源漏电流，是由器件沟道中少数载流子的扩散电流引起的。当栅源电压低于Vth时，器件不是马上关闭的，晶体管事实上是进入了“亚阈值区”，在这种情况下，IDS成了VGS的指数函数。一个理想的MOS晶体管不应该有任何电流流入衬底或者阱中，当晶体管关闭的时候D\S之间不应该存在任何的电流。但是，现实中MOS却存在各种不同的漏电流。目前，有种方法能在克服栅极漏电流的同时保持对栅极进行良好的控制，就是采用诸如TiO2和Ta2O5的高K介电材料替代SiO2做栅极绝缘体介质层。
详解集成电路中MOS管的基本原理和工作特性
jk_101的博客
06-19 6244
薄膜为基础的场效应管结构介绍完了，然后所谓半导体嘛，自然就是说咱们的这些个栅极G、漏极D、源极S以及氧化物薄膜的办公室，当然他们的办公室不是随随便便选个场地就玩完，他们是选中了以低掺杂浓度的P衬底为场地，为了不坏事，场地和所谓的G、D、S尽量不要发生办公室恋情，至少不要影响到G、D、S干活，因此在NMOS中的P衬底所谓的低掺杂就是说正常情况下基本不导电，只是提供场地的作用（当然，都说日久生情，我们的衬底有时候也会对MOS管产生一些情愫和影响，我们在后面的MOS管的二级效应中，会继续来聊聊这段孽缘）。
【硬件】MOS管及CMOS器件介绍
m0_38045338的博客
12-14 3611
什么是NMOS管？MOS管是指场效应晶体管，有G(gate 栅极)/D(drain 漏极)/S(source 源极)三个端口，分为PMOS管(P沟道型)和NMOS(N沟道型)两种。
mos管的输入输出特性曲线及gm/id仿真曲线（cadence IC617）
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silvaco mos器件仿真实例
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Silvaco MOS器件仿真是一种用于模拟MOS器件的工具，可以帮助工程师更好地了解器件的工作原理和性能特点。下面以一种MOS器件仿真实例来说明其应用。 假设我们需要设计一个CMOS放大器电路，我们可以使用Silvaco MOS...

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