半导体物理 第六章 半导体中载流子的输运

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载流子的漂移运动

电导的微观理论

电导的宏观理论是欧姆定律，据此可以推导出微观形式的欧姆定律，其中电导率受到载流子浓度和载流子迁移率的影响。

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半导体的电导率和迁移率

据此可以推导出载流子平均漂移速度和载流子迁移率、电场强度的关系，对空穴和电子有不同的迁移率，可以得到空穴电流密度和电子电流密度。

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载流子的散射

载流子散射的概念

不满带的电子能够导电，因为电子的速度之和不为零。

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散射几率、平均自由时间和迁移率的关系

散射几率：单位时间受到散射的次数。

平均自由时间（弛豫时间）：平均每次散射之间的时长。

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平均漂移速度：假设两次

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半导体器件物理【10】载流子输运现象 —— 电流密度、散射
痛苦的时候装出幸福相，这不是那么难做到的事
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似乎是把电子当做流体、气体？有点Drude模型的意思。
半导体物理基础：载流子输运理论_（15）.载流子输运在半导体器件中的应用
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在前一节中，我们讨论了半导体物理中的基本概念和载流子的基本行为。二极管是一种基本的半导体器件，由p型和n型半导体材料构成的p-n结组成。p-n结的形成导致了空间电荷区的形成，这一区域内的电场对载流子的输运起着关键作用。最常见的晶体管类型是双极型晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。太阳能电池将光能转换为电能，主要通过p-n结吸收光子产生电子-空穴对，这些载流子在内建电场的作用下被分离，形成电流。光电二极管在反向偏置下工作，当光照射到p-n结时，产生的光生载流子（电子-空穴对）被电场分离，形成光电流。
半导体物理学——（四）半导体的导电性
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载流子的漂移运动和迁移率 *欧姆定律 漂移运动与迁移率 半导体的电导率与迁移率 对于n型半导体Jn起主要作用，对于p型半导体Jp起主要作用，对于本征半导体，用本征载流子浓度分别于Jn Jp相乘。 载流子的散射 含义：载流子在半导体中运动时，便会不断地与热振动着的晶格原子或电离了的杂质离子发生作用，或者说发生碰撞，碰撞后载流子速度的大小及方向就发生改变，用波的概念，就是说电子泊在半导体中传播时遭到了散射。 自由载流子：实际上只在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自
半导体物理复习总结（四）——半导体导电性
qq_45497666的博客
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半导体的导电性 电子在电场力作用下的定向运动是漂移运动。热运动是无规则的，杂乱无章的运动。 迁移率表示单位场强下电子的平均漂移速度。 散射指载流子在半导体中运动时与热振动的晶格原子或电离的杂质离子作用，载流子的速度大小和方向发生改变。两次连续散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，平均时间称为平均自由时间。散射率是平均自由时间的倒数，表示单位时间内一个载流子受到的散射的次数。 电离杂质散射是电离的施主或受主带电形成库伦势场，局部的破坏了杂质附近的周期性势场，载流子运动到电离杂质附近时，运动方向发生改变。特点
载流子笔记
sunrier的专栏
06-18 3487
 载流子的组成：自由电子(N负电荷)和空穴(P正电荷)。N型半导体中的载流子是什么?答:1,由施主原子(比如五价磷原子或者锑)提供的电子,浓度与施主原子相同;    2,本征半导体中成对产生的电子和空穴;    3,掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度,所以,自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子(多子),空穴称为少数载流子(少子)。P型半导体中的载流子是什么?答:1,由施
固体微电子学与半导体物理学（四）
qq_54929395的博客
04-10 3867
半导体载流子的输运 写这篇文章的时候已经是四月中旬了，校园里满是春天的躁动洋溢着青春和活力。同龄人精彩的大学生活着实令我羡慕。我也想出去走走看看，但不是今年，也不是今天，更不是现在。 减少外出，多读点书；低头赶路，道心稳固。
VASP实用教程：硅的玻尔兹曼输运
m0_72489520的博客
11-18 630
请注意，为了达到这个目的，您需要一致地计算化学势值(T)作为温度的函数，以便重现给定的n值。检查输出文件Si.wout，并检查在拆分和万尼尔化步骤中是否达到了收敛效果（在例11中有更详细的讨论）。选择合适的绘图程序，绘制Si_seebeck.dat文件中的第1列和第3列，以检查在T = 300 K时作为化学势的函数的塞贝克系数的。【4】运行pw2wannier90来计算Bloch状态和初猜的投影之间的重叠（写在Si.mmn和Si.amn文件中）。还需要注意的是，例子中弛豫时间=10 fs的值仅设为代表值；
基泰尔固体物理导论_笔记《固体物理导论》第6章 自由电子费米气
weixin_42469243的博客
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Introduction to Solid State Physics[1]第 6 章 自由电子费米气费米-狄拉克分布化学势，T=0K时，为费米能给定晶体，由确定。一般情况，且三维晶体，随T增加而略微减小自由电子模型中，n为金属传导电子(价电子)浓度，对其理解可结合紧束缚近似，由原子内层轨道展宽形成能带窄，与外层价电子轨道展宽的能带不交叠。由能带论，将价电子能带在第一布里渊区展开分析，这样自由电子...
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《lastip计算软件使用手册——半导体能带与载流子输运详解》 在现代电子技术领域，半导体材料的研究和应用占据了极其重要的地位。而深入理解半导体的能带结构以及载流子（电子和空穴）的输运特性是设计和优化半导体...
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半导体器件与物理篇2 载流子输运现象
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迁移率的定义：用来描述载流子在单位电场下运动快慢的物理量电子迁移率的表达式： μn=qτcmn\mu_n=\frac{q\tau_c}{m_n}μn​=mn​qτc​​ 空穴迁移率的表达式： μp=qτcmp\mu_p=\frac{q\tau_c}{m_p}μp​=mp​qτc​​ 两个迁移率有相同的变化方式，就是在同一温度下，迁移率随杂质浓度的增加而减少。电子迁移率往往高于空穴迁移率。 定义的话，大家先捏着鼻子记忆一下。想进入这个领域，就得把前人的东西记住一些。 由能量均分理论能得到电子的动能为 12mn
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Vast Skies的博客
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本篇为西安交通大学本科课程《电气材料基础》的笔记。本篇为这一单元的第二篇笔记，上一篇。
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个人学习总结，其中加入了个人的理解，有不正确之处欢迎批评指正。
半导体物理与器件 第五章—载流子输运现象
u011790781的博客
03-23 4654
LEC3 文章目录LEC3空穴漂移电流密度电子漂移电流密度`弱电场情况下`，电子的平均漂移速度也与电场强度成正比。但是由于电子带负电，电子的运动与电场运动相反T=300时，低掺杂浓度下的迁移率典型值P114表5.1 {ignore=true}所以，总漂移电流密度是电子漂移电流密度和空穴漂移电流密度的和 {ignore=true}1.晶格散射2. 电离杂质散射3.总迁移率5.1.3电导率 在电场作用...
半导体可饱和吸收体（SA）
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Batop是很著名的Saturable Absorber生产厂商了。其网站下也有很多基础知识的介绍【1】。再结合一些别的内容，整理一下，方便以后查阅、修改。1 ，使用SAM  的目的      可饱和吸收体在强光下被漂白，可以使大部分腔内能量通过可饱和吸收体到达反射镜，并再次反射回激光腔中；在弱光下，表现为吸收未饱和的特性，吸收掉所有入射光，有效的把这部分弱光从激光腔中去除掉，表现了调 Q 锁模的...
半导体物理与器件 第六章
u011790781的博客
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LEC3 6.0 概述 6.1载流子的产生与复合 分别令Gn0​G_{n0}​Gn0​​和Gp0​G_{p0}​Gp0​​为电子和空穴的产生率，单位是#/cm3⋅s​cm^{3}·s​cm3⋅s​。对于直接带间产生来说，电子和空穴总是成对出现的，因此一定有 Gn0=Gp0 G_{n0}=G_{p0} Gn0​=Gp0​ 分别令Rn0R_{n0}Rn0​和Rp0R_{p0}Rp0​分别为热平衡状态下...
运放学习笔记
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Z97371539的博客
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单电源运放是指仅使用单一电源电压（例如，+5V）和地（0V）作为电源供给的运放。也就是说，它只需要一个正电压和地作为参考电压，而不需要负电压。
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