碳化硅MOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V,电流1A-150A (碳化硅MOS单管、晶圆裸芯片,全碳SiC模块)。
碳化硅(SiC)MOS由于它比以前的硅(Si)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)的应用具有更多优势,包括更高的开关频率,更低的工作温度,更高的电流和电压容量,以及更低的损耗,进而可以实现更高的功率密度,可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件,热管理和电源组件现在尺寸更小,重量更轻,成本更低,从而降低了总 BOM 成本,同时也实现了更小的占用空间。
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