碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A（碳化硅MOS晶圆芯片die、单管、全SiC模块）

碳化硅MOS管国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V，电流1A-150A (碳化硅MOS单管、晶圆裸芯片，全碳SiC模块）。
碳化硅（SiC）MOS由于它比以前的硅（Si）和绝缘栅双极晶体管（IGBT）的应用具有更多优势，包括更高的开关频率，更低的工作温度，更高的电流和电压容量，以及更低的损耗，进而可以实现更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的温度和更小的磁性元件，热管理和电源组件现在尺寸更小，重量更轻，成本更低，从而降低了总 BOM 成本，同时也实现了更小的占用空间。

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