1700V SiC MOSFET针对高压电源应用，较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（16mΩ/毫欧）

1700V SiC MOSFET针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（16mΩ/毫欧)  1700V 1A-120A碳化硅MOS管-PDF https://pan.baidu.com/s/1trjUmLmKG91ieS4WoeQpKg提取码ket9
。用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器器以及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计，可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计，降低散热成本，大幅度减少辅助开关电源成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频特性让电路中的磁性单元体积更小,重量更轻。反向恢复时间“零”特性让电路的开关损耗大幅度降低,加上更优异的热传导系数,让工程师在设计散热方面不再烦恼。
具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on）