STM32F429第二十四篇之SRAM原理

前言

在整个F4系列的器件，都支持FSMC——灵活的静态存储控制器。而F429支持FMC——可变存储控制器。两者的区别在于，FMC在FMSC的基础上增加了对DRAM的支持。而FSMC和FMC在地址上是重叠的，也就是说，在F429中，是通过FMC直接替代了FSMC，所以，在F429的学习中，直接学习FMC即可，不用两者同时学习。

本文只介绍FMC中SRAM部分，其余的部分待以后补充。

本文主要参考资料为：

• ST.RM0090
• 正点原子.STM32F429开发指南-HAL库版本_V1.1

框图

上图是整个FMC的框图。其中与SRAM相关的管脚，已经用红色标红。具体如下：

• NBL[3:0]：字节控制
• A[25:0]：地址线
• D[31:0]：数据线
• NE[4:1]：片选信号
• NOE：读信号使能
• NWE：写信号使能
• NWAIT：等待

外部器件地址映射

整个FMC划分为6个固定大小的存储区域，如上图所示，每个存储区域的大小为256MB。其中，SRAM在BANK1中。BANK1被划分成4个子区域，带有4个片选信号，上文已经介绍。

其中，映射地址(HADDR)的第26位与第27位用于选择四个存储区域。在上图表格中已经列出。

HADDR[25:0]则对应地址输出管脚，对应外部存储器的地址。HADDR是按照字节编址，即数据宽度为8位。若存储器的数据宽度不同，则FMC向存储器发送的地址也将不同，如下表所示。

注意：

若外部存储器的宽度为16位，FMC将使用HADDR[25:1]地址来作为对外部存储器的寻址地址，即地址线上输出的地址为A[24:0]。 则无论外部存储器的宽度是多少，都应将FMC_A[0] 连接到存储器地址 A[0] 。则每个存储区域的子区域的最大存储容量为512Mb(64MB)。

时序

如果使能扩展模式，则最多可以提供四种扩展模式，并且可以组合不同的模式来分别配置读写操作。
如果禁用扩展模式，则只有两种模式可以选择。

本文不再详细分析每一种模式，而是通过与35510的时序对比的方式，重点介绍拓展模式中的模式A。

上图文档详细介绍了模式A的时序图以及寄存器的配置方法。

其中第一个寄存器是功能配置，这里不再详细介绍，下面重点介绍一下时序的配置。

通过观察时序图，可以发现，共有三个时间可以配置，分别为：

• 存储器事物时间，对应寄存器为：BUSTTURN
• ADDSET时间，对应寄存器为：ADDSET
• DATAST时间，对应寄存器为：DATAST

他们的取值范围为：

若以显示器nt35510为例，该时序为：

很容易找到该时序前6项与FMC的A模式对应关系。