TVS计算及选型

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提到TVS,大部分电子工程师基本都知道是用来端口防护的,防止端口瞬间的电压冲击造成后级电路的损坏。由于其在电路中的极其重要的地位,但是,针对TVS的选型过程,很多厂家都是直接给推荐电路,直接告诉设计者答案选择哪个器件,却很少对选型过程提供理论计算,大部分的电子工程师针对TVS选型的时候,老人凭经验,新人凭参考,一旦更换厂家或者更换测试条件,就无从下手了,本文就专门解决该问题,让新人老人对TVS选型都能得心应手。

1、TVS工作原理

TVS(Transient Voltage Suppressors),即瞬态电压抑制器,又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。TVS 有单向与双向之分,单向 TVS 一般应用于直流供电电路,双向 TVS 应用于电压交变的电路。

如图 1 所示,应用于直流电路时单向 TVS 反向并联于电路中,当电路正常工作时,TVS 处于截止状态(高阻态),不影响电路正常工作。当电路出现异常过电压并达到TVS(雪崩)击穿电压时,TVS 迅速由高电阻状态突变为低电阻状态,泄放由异常过电压导致的瞬时过电流到地,同时把异常过电压钳制在较低的水平,从而保护后级电路免遭异常过电压的损坏。当异常过电压消失后,TVS 阻值又恢复为高阻态。

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图1 :TVS工作原理

2、TVS关键参数

工欲善其事,必先利其器,要用好TVS,必须先了解其关键的参数。

(1) Vrwm截止电压

反向截止电压VRWM与反向漏电流IR:反向截止电压VRWM表示TVS管不导通的最高电压,在这个电压下只有很小的反向漏电流IR。

TVS 的最高工作电压,可连续施加而不引起 TVS 劣化或损坏的最高工作峰值电压或直流峰值电压。对于交流电压,用最高工作电压有效值表示,在 V RWM 下,TVS 认为是不工作的,即是不导通的。换一句话,电路的最高工作电压必须小于Vrwm,否则将会导致TVS动作导致电路异常。

(2) I R 漏电流

漏电流,也称待机电流。在规定温度和最高工作电压条件下,流过 TVS 的最大电流。TVS 的漏电流一般是在截止电压下测量,对于某一型号 TVS, I R 应在规定值范围内。对 TVS 两端施加电压值为 V RWM ,从电流表中读出的电流值即为 TVS的漏电流 I R 。对于同功率和同电压的 TVS,在 V RWM ≤10V 时,双向 TVS 漏电流是单向 TVS 漏电流的 2 倍。对于一些模拟端口,漏电流会影响AD的采样值,所以TVS的漏电流越小越好。

(3) V BR 击穿电压

击穿电压VBR:TVS管通过 规定的测试电流时 的电压,这是表示TVS管导通的标志电压。

击穿电压,指在 V-I 特性曲线上,在规定的脉冲直流电流 I T 或接近发生雪崩的电流条件下测得 TVS 两端的电压。规定的测试电流It一般选取10mA左右,施加的电流的时间不应超过400ms,以免损坏器件,V BR MIN .和 V BR MAX .是 TVS 击穿电压的一个偏差,一般 TVS 为±5%的偏差。测量时,V BR 落在 V BR MIN .和 V BR MAX .之间视为合格品。

(4) I PP 峰值脉冲电流 ,V C 钳位电压

最大箝位电压VC:TVS管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压

峰值脉冲电流,给定脉冲电流波形的峰值。TVS 一般选用 10/1000μs 电流波形。钳位电压,施加规定波形的峰值脉冲电流 I PP 时,TVS 两端测得的峰值电压。I PP 及 V C 是衡量 TVS 在电路保护中抵抗浪涌脉冲电流及限制电压能力的参数,这两个参数是相互联系的。对于 TVS 在防雷保护电路中的钳位特性,可以参考 V C 这个参数。对于相同型号 TVS,在相同 I PP 下的V C 越小,说明 TVS 的钳位特性越好。TVS 的耐脉冲电流冲击能力可以参考 I PP ,同型号的 TVS,I PP 越大,耐脉冲电流冲击能力越强。

(5) 结电容CI,漏电流Ir

结电容是TVS中的寄生电容,在高速IO端口保护需要重点关注,过大的结电容可能会影响信号的质量。漏电流主要带来了功率的损耗,或者是在模拟信号中,会影响AD信号的采样值。

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图2 厂家一般都是提供10/1000μs的测试波形

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图3 :TVS的关键参数

补充:
6、脉冲峰值功率Pm: 脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积,即Pm=IPP*VC;在给定的最大钳位电压下,功耗PM越大,其浪涌电流承受能力越大,在给定的功耗PM下,钳位电压越低,其浪涌电流的承受能力越大;另外,峰值脉冲功耗还与脉冲波形,持续时间和环境温度有关:典型的脉冲波形持续时间为1ms,当施加到二极管上的脉冲波形持续时间小于TP,则随着TP的减小脉冲峰值功率增加;TVS所能承受的瞬态脉冲式不重复的,如果电路内出现重复性脉冲,应考虑脉冲功率的累积可能损坏TVS。
7、稳态功率P0: TVS管也可以作稳压二极管用,这时要使用稳态功率。
8、极间电容Cj: 与压敏电阻一样,TVS管的极间电容Cj也较大,且单向的比双向的大,功率越大的电容也越大,极间电容会影响TVS的响应时间。
9、峰值电流波形: A、正弦半波 B、矩形波C 、标准波(指数波形) D、三角波TVS峰值电流的试验波形采用标准波(指数波形),由TR/TP决定。 峰值电流上升时间TR: 电流从0.1IPP开始达到0.9 IPP的时间。
10、半峰值电流时间TP: 电流从零开始通过最大峰值后,下降到0.5IPP值的时间。 下面列出典型试验波形的TR/TP值: EMP波:10ns /1000ns 闪电波:8μs /20μs 标准波:10μs /1000μs
补充内容参考原文

3、TVS选型过程

了解了TVS的基本参数,我们就开始进入最重要的TVS选型的过程了。选择TVS之前,我们首先要明白选择的终极目标:

1.电压合适能保护后级电路;

2.引入的TVS的结电容不能影响电路;

3.TVS功率余量充足,满足测试标准,且不能比保险管先挂。

选型的过程可以按照以下的步骤进行:

(1) 选择TVS最高工作电压Vrmw;

(2) 选择TVS钳位电压VC;

(3) 选择TVS的功率;

(4) 评估漏电流Ir的影响;

(5) 评估结电容的影响;

选择TVS最高工作电压Vrmw;

在电路正常工作情况下,TVS 应该是不工作的,即处于截止状态,所以 TVS 的截止电压应大于被保护电路的最高工作电压。这样才能保证 TVS 在电路正常工作下不会影响电路工作。但是 TVS 的工作电压高低也决定了 TVS 钳位电压的高低,在截止电压大于线路正常工作电压的情况下,TVS 工作电压也不能选取的过高,如果太高,钳位电压也会较高,所以在选择 Vrwm 时,要综合考虑被保护电路的工作电压及后级电路的承受能力。要求Vrwm要大于工作电压,否则工作电压大于Vrwm会导致TVS反向漏电流增大,接近导通,或者雪崩击穿,影响正常电路工作。综合考虑,Vrwm可以参考以下的公式:

Vrwm≈1.1~1.2*VCC ;--------其中VCC为电路的最高工作电压。

选择选择TVS钳位电压VC;

TVS 钳位电压应小于后级被保护电路最大可承受的瞬态安全电压,VC 与 TVS 的雪崩击穿电压及 I PP 都成正比。对于同一功率等级的 TVS,其击穿电压越高 V C 也越高,所选TVS的最大箝位电压Vc不能大于被防护电路可以承受的最大电压。否则,当TVS钳在Vc时会对电路造成损坏。Vc可以参考以下的公式:

VC<Vmax ;-----其中Vmax为电路能承受的最高电压.

选择TVS的功率Pppm(或者Ipp);

TVS 产品的额定瞬态功率应大于电路中可能出现的最大瞬态浪涌功率,理论上,TVS的功率越大越好,能够承受更多的冲击能量和次数,但是功率越高,TVS的封装越大,价钱也越高,所以,TVS的功率满足要求即可。对于不同功率等级的 TVS,相同电压规格的 TVS 其 V C 值是一样的,只是 I PP 不同。故 Pppm 与 Ippm成正比,Ippm 越大,Pppm 也越大。

对于某一电路 ,有对应的测试要求,设实际电路中的最大测试电流为 Iactual ,则 Iactual 可估算为:

Iactual=Uactual/Ri;---------其中 Uactual 为测试电压,Ri为测试内阻。

TVS 要通过测试,故实际电路中要求 10/1000μs 波形下 TVS 的最小功率 P actual 为:-------其中di/dt为波形转换系数,如实际测试波形为其他波形,如 8/20μs波形,建议di/dt取,如测试波形为 10/1000μs,取,实际选型中,TVS 应留有一定的裕量,TVS 的功率PPMP 选择应遵循Pppm>Pactual。

根据所选的TVS的结电容和漏电流评估影响,如果TVS 用在高速IO端口防护、模拟信号采样、低功耗设备场合,就需要考虑结电容和漏电流的影响,两则的参数越小越好。

4、TVS选型距离

数据都是无趣的,我们以实际的案例举例。

电路的正常工作电压VCC是24V,最高工作电压Vmax是26V,后级电路可承受的最高瞬态电压为50V,实验的测试波形为 8/20μs波形,测试电压500V,测试电源内阻及PPTC的静态电阻合计为2Ω。根据上述信息选择合适的TVS。

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图4 :设计举例

  1. 选择TVS最高工作电压

Vrmw≈1.1 ~ 1.2*VCC=26~28V

  1. 选择选择TVS钳位电压

VC<Vmax=50V

  1. 计算实际测试波形功率:

Pact=Vc**=50*(500/3)*1/2=4166W

根据计算结果,可以选用5.0SMDJ26A这个TVS,由于这个TVS用在电源端口,结电容和漏电流基本可以忽略不计。

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图5 :5.0SMDJ26A TVS关键参数

注:文章整理自网络,如有侵权,请联系删除!这么好的转载EDA365电子论坛。
参考原文1参考原文2

<think>好的,用户之前问过关于电路板设计如何防止ESD的问题,现在他们接着问TVS管的选型。这说明用户可能正在设计电路板,尤其是涉及接口防护的部分,需要具体的元件选型指导。 首先,我需要回忆之前给出的ESD防护措施,其中提到了TVS二极管的应用。现在用户深入到这个具体元件,需要详细说明如何选择合适的TVS管。可能用户对TVS的工作原理和参数不太熟悉,需要从基础讲起。 用户可能的身份是电子工程师或者硬件设计新手,他们需要实用的选型步骤和关键参数解释。要确保回答结构清晰,分步骤讲解,同时结合参数公式和实际例子,帮助他们理解如何应用。 接下来,要考虑TVS选型的关键因素,比如工作电压、击穿电压、钳位电压、功率、响应时间、封装等。每个参数都需要解释清楚,并且说明如何根据应用场景选择。例如,接口类型不同,所需的TVS参数也会不同,需要举例说明,比如USB、HDMI、电源端口等。 还要注意用户可能存在的误区,比如认为只要选一个TVS就行,但实际上需要考虑电路的工作电压和可能的最大电压,以确保TVS不会误动作或无法有效保护。此外,可能需要提到多级防护的概念,特别是在高敏感电路中,TVS配合其他元件使用。 用户可能还关心测试和标准,比如IEC 61000-4-2,所以在选型过程中需要提到符合相关标准的重要性。同时,封装形式也是一个实际应用中的考虑点,不同的安装方式(如贴片或直插)会影响PCB布局和空间安排。 最后,总结选型步骤,帮助用户系统地做出选择,并提醒实际应用中的注意事项,比如布局布线和测试验证的重要性,确保他们不仅选对型号,还能正确应用。</think>### TVS选型的关键参数与步骤 TVS(瞬态电压抑制二极管)是ESD防护的核心器件,选型需综合考虑**工作电压**、**箝位能力**、**功率**等参数。以下是系统化选型方法: --- #### **1. 确定电路工作电压** - **反向关断电压($V_{RWM}$)** TVS的$V_{RWM}$需略高于电路正常工作电压,避免误触发。 **公式**: $$ V_{RWM} \geq V_{CC} \times 1.2 $$ *示例*:5V电路选$V_{RWM}=6V$的TVS。 --- #### **2. 击穿电压($V_{BR}$)与箝位电压($V_{CL}$)** - **$V_{BR}$**:TVS开始导通的阈值电压,需高于电路最大工作电压。 **范围**: $$ V_{BR} = (1.1 \sim 1.3) \times V_{RWM} $$ - **$V_{CL}$**:TVS在瞬态冲击下的最高电压,需低于被保护器件的耐压值。 **示例**:若芯片耐压$20V$,选$V_{CL} \leq 18V$的TVS。 --- #### **3. 峰值脉冲功率($P_{PP}$)** 根据ESD脉冲能量选择功率等级: - **IEC 61000-4-2标准**: - 接触放电:8kV(等效$16A$峰值电流,$30ns$脉宽) - 空气放电:15kV(等效$30A$峰值电流) **计算最小功率**: $$ P_{PP} = V_{CL} \times I_{PP} $$ *示例*:若$V_{CL}=18V$,$I_{PP}=30A$,则$P_{PP} \geq 540W$。 --- #### **4. 响应时间与结电容** - **响应时间**:TVS触发速度需$<1ns$(多数TVS满足)。 - **结电容($C_J$)**: - 高速信号(USB、HDMI):选$C_J < 1pF$的低电容TVS(如SMDJ5.0CA)。 - 电源或低速信号:$C_J$可放宽至$10 \sim 100pF$。 --- #### **5. 接口类型与封装** - **单/双向选择**: - 电源线:用**单向TVS**(如P6KE系列)。 - 差分信号(RS485):用**双向TVS**(如SMBJ6.5CA)。 - **封装尺寸**: - 高功率:DO-214AB(SMC)、DO-214AC(SMA) - 紧凑型:SOD-323、DFN1006 --- ### **选型实例** **场景**:USB 3.0接口防护(工作电压5V,信号速率5Gbps) 1. **参数计算**: - $V_{RWM} \geq 5V \times 1.2 = 6V$ - $V_{CL} < 芯片耐压(如15V)$ - $C_J < 0.5pF$(避免信号衰减) 2. **型号推荐**: - **SEMTECH RCLAMP0524P**:$V_{RWM}=5V$, $V_{CL}=9.2V$, $C_J=0.35pF$ - **ON Semiconductor ESD9X5V3ST5G**:双向,$C_J=0.25pF$ --- ### **选型注意事项** 1. **多级防护**:对高敏感电路(如射频模块),可串联电阻+TVS组合。 2. **布局优先**:TVS尽量靠近接口($<5mm$),接地路径短且低阻抗。 3. **温度降额**:高温环境需降低$P_{PP}$使用(如85℃时功率降额20%)。 通过以上步骤,可兼顾防护效果与成本,确保系统通过ESD测试(如IEC 61000-4-2 Level 4)。
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