单片机TVS/ESD二极管防护

本文介绍了TVS瞬态电压抑制二极管和ESD静电释放二极管的工作原理,以及它们在低压大电流和高压小电流防护中的应用。着重讲解了RCLAMP0524和SRV05-4两种典型型号,并概述了ESD器件选型的关键步骤,以USB2.0接口为例进行说明。

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TVS 瞬态电压抑制二极管Transient Voltage Suppressor

ESD 静电释放二极管 Electro-Static discharge

这两种本质上都是二极管。都是利用了二极管正向导通、反向截止的特性。二极管在反向截止截止条件下,如果电压继续增大,将会引发雪崩,使得二极管由截止变为短路。

TVS一般用于低压大电流防护,例如为了保护单片机的5V输入,可以使用一个截止电压为5.5V的TVS来保护,一旦用户不小心给单片机插上了一个12V电源,那么单片机板子上的TVS将会把12V电源的正极通过雪崩直接短路到,从而保护单片机不受损害。

ESD一般用于高压小电流防护,例如人体静电,电压可达10KV,但是电流极小。ESD一般用于保护会与人体直接接触的插头,例如USB、串口的TX/RX等。

下面看一个经典型号RCLAMP0524,这是一个单向4路ESD芯片。

上图中共有9个二极管,真正起ESD作用的只有中间那个,它的符号和其余8个不同,其余8个就是普通二极管。1、2、3、4引脚上一旦出现10KV高压,ESD二极管就会短路,这样就可以把1234上的高压泄放到3、8引脚上,也即GND上。

再看一个经典型号:SRV05-4,这款支持4路信号线防护+一路5V电源防护,下图来自【雷卯电子】家的SRV05-4的数据手册

 

 

ESD的选型:参考链接:ESD器件保护原理及选型

在ESD器件选型时寄生电容可以根据应用接口选择,如下图

ESD器件选型步骤

1.计算接口信号幅值的范围来确定ESD器件的工作电压;

2.根据信号类型决定使用单向或者双向ESD器件;

3.根据信号速率决定该接口能承受的最大寄生电容;

4.根据电路系统的最大承受电压冲击,选择适合的钳位电压;

5.确保ESD器件可达到或超过IEC 61000-4-2 level4。

例如USB2.0接口保护电路:

<think>嗯,用户想了解单片机IO口的工作原理。首先,我需要回忆一下单片机IO的基本结构。记得单片机通常有多个IO口,比如常见的P0、P1、P2、P3,每个口的结构可能不同。特别是P0口,可能和其他口在内部结构上有差异,比如是否需要上拉电阻。 接下来,应该解释IO口的三种工作模式:输入、输出和高阻态。输入模式时,单片机读取外部信号,这时候需要确保内部的MOS管处于正确的状态,避免信号被拉高或拉低。输出模式分为推挽和开漏两种,推挽能直接输出高低电平,而开漏可能需要外接上拉电阻。 还要提到IO口的第二功能,比如UART、SPI等,这些功能复用引脚,可能涉及到内部寄存器的配置。需要说明如何通过配置寄存器来选择不同的功能模式,比如设置SFR中的某些位。 另外,用户提供的参考引用里提到了等效电路,可能需要画一个简化的等效电路图,但用户不可见,所以需要用文字描述。比如P0口作为开漏输出时需要外接上拉电阻,而其他端口内部可能有上拉。 还要注意安全问题,比如输入模式时防止过压,可能需要限流电阻或钳位二极管。这部分内容对实际应用很重要,用户可能在使用时遇到这些问题。 最后,生成相关的问题,考虑用户可能的后续疑问,比如如何配置寄存器,不同模式的应用场景,第二功能的使用方法,以及常见问题的解决办法。这些问题需要覆盖理论知识和实际应用,帮助用户深入理解。</think>### 单片机IO口工作原理分步解析 #### 1. 基本结构组成 单片机IO口由以下核心部件构成: - **锁存器**:用于保存当前输出电平状态(1或0) - **MOS管**:场效应管构成输出驱动电路 - **上拉电阻**:部分IO口内置(如P1/P2/P3) - **保护二极管**:防止过压损坏 以P0口为例,其等效电路如下: $$ \begin{cases} \text{输出模式} & : \text{开漏结构(需外接上拉)} \\ \text{输入模式} & : \text{三态缓冲器隔离} \end{cases} $$ #### 2. 三种工作模式 1. **准双向模式(标准输入输出)** - 输出0时:下管导通,输出低电平 - 输出1时:上拉电阻提供弱高电平 - 输入时:需先写1到端口[^1] 2. **推挽输出模式** - 上下管交替导通 - 可直接驱动LED等负载 3. **高阻输入模式** - 上下管均关闭 - 用于ADC采样等精密测量 #### 3. 第二功能实现 通过特殊功能寄存器(SFR)配置复用功能: ```c P3M1 |= 0x10; // 设置P3.4为UART接收 P3M0 &= ~0x10; // 清除推挽模式 ``` #### 4. 电气特性参数 | 参数 | 典型值 | |---------------|------------| | 输出低电平 | 0.4V(max) | | 输出高电平 | Vcc-0.7V | | 输入漏电流 | <1μA | | 灌电流能力 | 20mA(max) | #### 5. 安全防护措施 - 输入过压保护:使用TVS二极管 - 驱动感性负载:并联续流二极管 - ESD保护:集成静电放电防护电路
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